低电容低电压半导体过压保护器件

被引：0

专利类型：

实用新型

申请号：

CN201620237509.2

申请日：

2016-03-25

公开(公告)号：

CN205452296U

公开(公告)日：

2016-08-10

发明(设计)人：

赵海

申请人：

申请人地址：

215325 江苏省苏州市昆山市周庄镇秀海路100号

IPC主分类号：

H01L2987

IPC分类号：

H01L2910 H01L21329

代理机构：

苏州创元专利商标事务所有限公司 32103

代理人：

范晴;丁浩秋

法律状态：

授权

国省代码：

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法律状态

法律状态公告日	法律状态	法律状态信息
2016-08-10	授权	授权
2017-10-17	专利权人的姓名或者名称、地址的变更	专利权人的姓名或者名称、地址的变更 IPC(主分类):H01L 29/87 变更事项:专利权人变更前:昆山海芯电子科技有限公司变更后:昆山海芯机电科技有限公司变更事项:地址变更前:215325 江苏省苏州市昆山市周庄镇秀海路100号变更后:215325 江苏省苏州市昆山市周庄镇秀海路100号
2022-03-11	专利权的终止	未缴年费专利权终止 IPC(主分类):H01L 29/87 申请日:20160325 授权公告日:20160810 终止日期:20210325

共 50 条

[1]

低电容低电压半导体过压保护器件 [P].

赵海 .

中国专利 :CN105720108A ,2016-06-29

[2]

低电压半导体过压保护器件 [P].

乔长华 .

中国专利 :CN2631041Y ,2004-08-04

[3]

低电容过压保护器件 [P].

傅坚 ;

李怀东 ;

张关宝 ;

杨力宏 ;

张小平 .

中国专利 :CN201097401Y ,2008-08-06

[4]

低电容低钳位过压保护器件 [P].

张关保 ;

苏海伟 ;

王永录 ;

叶力 ;

吴兴农 .

中国专利 :CN102176624A ,2011-09-07

[5]

低电容过压保护器件及其生产工艺 [P].

傅坚 ;

张关宝 ;

程真 ;

杨力宏 ;

李怀东 .

中国专利 :CN1851927A ,2006-10-25

[6]

一种低电容半导体过压保护器芯片 [P].

金国平 .

中国专利 :CN100426507C ,2006-12-06

[7]

低电容高速传输半导体浪涌保护器件 [P].

史田元 ;

胡蛇庆 .

中国专利 :CN103035695A ,2013-04-10

[8]

低电容高速传输半导体浪涌保护器件 [P].

肖志良 .

中国专利 :CN102769026A ,2012-11-07

[9]

TVS过压保护器件 [P].

唐兴军 ;

王亚 .

中国专利 :CN212811289U ,2021-03-26

[10]

一种大功率半导体过压保护器件 [P].

邹有彪 ;

王全 ;

倪侠 ;

张荣 ;

徐玉豹 .

中国专利 :CN114927962B ,2025-03-21

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