低电压半导体过压保护器件

被引：0

专利类型：

实用新型

申请号：

CN03225865.8

申请日：

2003-04-30

公开(公告)号：

CN2631041Y

公开(公告)日：

2004-08-04

发明(设计)人：

乔长华

申请人：

申请人地址：

518000广东省深圳市高新技术园科苑大道长园新材D栋三楼

IPC主分类号：

H01L2362

IPC分类号：

代理机构：

深圳市千纳专利代理有限公司

代理人：

胡坚

法律状态：

著录事项变更

国省代码：

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法律状态

法律状态公告日	法律状态	法律状态信息
2004-11-10	著录事项变更	著录事项变更变更事项:设计人变更前:乔长华变更后:胡小军
2008-06-25	专利权的终止(未缴年费专利权终止)	专利权的终止(未缴年费专利权终止)
2004-08-04	授权	授权

共 50 条

[1]

低电容低电压半导体过压保护器件 [P].

赵海 .

中国专利 :CN205452296U ,2016-08-10

[2]

低电容低电压半导体过压保护器件 [P].

赵海 .

中国专利 :CN105720108A ,2016-06-29

[3]

一种大功率半导体过压保护器件 [P].

邹有彪 ;

王全 ;

倪侠 ;

张荣 ;

徐玉豹 .

中国专利 :CN114927962B ,2025-03-21

[4]

一种大功率半导体过压保护器件 [P].

邹有彪 ;

王全 ;

倪侠 ;

张荣 ;

徐玉豹 .

中国专利 :CN114927962A ,2022-08-19

[5]

一种大功率半导体过压保护器件 [P].

倪侠 ;

邹有彪 ;

王全 ;

徐玉豹 .

中国专利 :CN113725210A ,2021-11-30

[6]

TVS过压保护器件 [P].

唐兴军 ;

王亚 .

中国专利 :CN212811289U ,2021-03-26

[7]

半导体保护器件 [P].

俞在炫 ;

李奎沃 ;

高在赫 ;

权义熙 ;

金晙赫 ;

全镕宇 ;

郑多源 .

中国专利 :CN115377093A ,2022-11-22

[8]

低电容过压保护器件 [P].

傅坚 ;

李怀东 ;

张关宝 ;

杨力宏 ;

张小平 .

中国专利 :CN201097401Y ,2008-08-06

[9]

一种半导体电压浪涌保护器件 [P].

杨显精 ;

仇利民 ;

张守明 ;

戴剑 ;

吴月挺 ;

李洪朋 .

中国专利 :CN108364947A ,2018-08-03

[10]

一种过压保护器件与过压保护电路 [P].

吴家健 ;

钱嘉丽 ;

孙健锋 .

中国专利 :CN212434633U ,2021-01-29

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