半导体器件及其制造方法

被引：0

专利类型：

发明

申请号：

CN201810362139.9

申请日：

2018-04-20

公开(公告)号：

CN108807436A

公开(公告)日：

2018-11-13

发明(设计)人：

高桥史年国清辰也佐藤英则后藤洋太郎

申请人：

申请人地址：

日本东京都

IPC主分类号：

H01L27146

IPC分类号：

代理机构：

北京市金杜律师事务所 11256

代理人：

李辉;董典红

法律状态：

发明专利申请公布后的视为撤回

国省代码：

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法律状态

法律状态公告日	法律状态	法律状态信息
2020-10-16	发明专利申请公布后的视为撤回	发明专利申请公布后的视为撤回 IPC(主分类):H01L 27/146 申请公布日:20181113
2018-11-13	公开	公开

共 50 条

[1]

半导体器件及其制造方法 [P].

黑川义元 ;

池田隆之 ;

田村辉 ;

上妻宗广 ;

池田匡孝 ;

青木健 .

中国专利 :CN102792677B ,2012-11-21

[2]

半导体器件及其制造方法 [P].

黑川义元 ;

池田隆之 ;

田村辉 ;

上妻宗广 ;

池田匡孝 ;

青木健 .

中国专利 :CN104979369A ,2015-10-14

[3]

半导体器件及其制造方法 [P].

山口直 .

中国专利 :CN105261625A ,2016-01-20

[4]

半导体器件及其制造方法 [P].

柏原庆一朗 .

中国专利 :CN103258832B ,2013-08-21

[5]

半导体器件及其制造方法 [P].

张勋 .

中国专利 :CN101740591A ,2010-06-16

[6]

半导体器件和其制造方法 [P].

木村雅俊 .

中国专利 :CN106653785A ,2017-05-10

[7]

半导体器件制造方法和半导体器件 [P].

木村雅俊 .

中国专利 :CN105390445A ,2016-03-09

[8]

半导体器件的制造方法及半导体器件 [P].

木村雅俊 .

中国专利 :CN105140249A ,2015-12-09

[9]

半导体器件及其制造方法 [P].

神野健 .

中国专利 :CN104465684B ,2015-03-25

[10]

半导体器件及其制造方法 [P].

川下道宏 ;

吉村保广 ;

田中直敬 ;

内藤孝洋 ;

赤沢隆 .

中国专利 :CN101320702A ,2008-12-10

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