半导体器件及其制造方法

被引：0

专利类型：

发明

申请号：

CN200910208727.8

申请日：

2009-11-05

公开(公告)号：

CN101740591A

公开(公告)日：

2010-06-16

发明(设计)人：

张勋

申请人：

申请人地址：

韩国首尔

IPC主分类号：

H01L27146

IPC分类号：

H01L2182 H01L21768

代理机构：

北京集佳知识产权代理有限公司 11227

代理人：

顾晋伟;王春伟

法律状态：

实质审查的生效

国省代码：

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法律状态

法律状态公告日	法律状态	法律状态信息
2011-12-07	实质审查的生效	实质审查的生效号牌文件类型代码:1604 号牌文件序号:101149128275 IPC(主分类):H01L 27/146 专利申请号:2009102087278 申请日:20091105
2014-02-19	发明专利申请公布后的视为撤回	发明专利申请公布后的视为撤回号牌文件类型代码:1603 号牌文件序号:101692895180 IPC(主分类):H01L 27/146 专利申请号:2009102087278 申请公布日:20100616
2010-06-16	公开	公开

共 50 条

[1]

半导体器件及其制造方法 [P].

柏原庆一朗 .

中国专利 :CN103258832B ,2013-08-21

[2]

半导体器件及其制造方法 [P].

黑川义元 ;

池田隆之 ;

田村辉 ;

上妻宗广 ;

池田匡孝 ;

青木健 .

中国专利 :CN102792677B ,2012-11-21

[3]

半导体器件及其制造方法 [P].

黑川义元 ;

池田隆之 ;

田村辉 ;

上妻宗广 ;

池田匡孝 ;

青木健 .

中国专利 :CN104979369A ,2015-10-14

[4]

半导体器件及其制造方法 [P].

中山知士 .

中国专利 :CN107871794A ,2018-04-03

[5]

半导体器件及其制造方法 [P].

村越笃 ;

矢桥胜典 .

中国专利 :CN101515593B ,2009-08-26

[6]

半导体器件及其制造方法 [P].

山口直 .

中国专利 :CN105261625A ,2016-01-20

[7]

半导体器件及其制造方法 [P].

郑伍珍 .

中国专利 :CN101714565A ,2010-05-26

[8]

半导体器件及其制造方法 [P].

小清水亮 ;

椿茂树 .

日本专利 :CN119153403A ,2024-12-17

[9]

半导体器件及其制造方法 [P].

高桥史年 ;

国清辰也 ;

佐藤英则 ;

后藤洋太郎 .

中国专利 :CN108807436A ,2018-11-13

[10]

半导体感光器件及其制造方法 [P].

龚轶 ;

王鹏飞 ;

刘伟 ;

刘磊 .

中国专利 :CN104637959A ,2015-05-20

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