半导体器件及其制造方法

被引：0

专利类型：

发明

申请号：

CN200910179132.4

申请日：

2009-09-29

公开(公告)号：

CN101714565A

公开(公告)日：

2010-05-26

发明(设计)人：

郑伍珍

申请人：

申请人地址：

韩国首尔

IPC主分类号：

H01L27146

IPC分类号：

H01L23522 H01L2182 H01L21768

代理机构：

隆天国际知识产权代理有限公司 72003

代理人：

姜燕;陈晨

法律状态：

发明专利申请公布后的视为撤回

国省代码：

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法律状态

法律状态公告日	法律状态	法律状态信息
2012-06-20	发明专利申请公布后的视为撤回	发明专利申请公布后的视为撤回号牌文件类型代码:1603 号牌文件序号:101382528894 IPC(主分类):H01L 27/146 专利申请号:2009101791324 公开日:20100526
2010-05-26	公开	公开

共 50 条

[1]

半导体器件及其制造方法 [P].

山口直 .

中国专利 :CN105261625A ,2016-01-20

[2]

光学半导体器件及其制造方法 [P].

岩井誉贵 .

中国专利 :CN101449389A ,2009-06-03

[3]

半导体器件及其制造方法 [P].

中山知士 .

中国专利 :CN107871794A ,2018-04-03

[4]

半导体器件及其制造方法 [P].

村越笃 ;

矢桥胜典 .

中国专利 :CN101515593B ,2009-08-26

[5]

半导体器件及其制造方法 [P].

张勋 .

中国专利 :CN101740591A ,2010-06-16

[6]

半导体器件及其制造方法 [P].

黑川义元 ;

池田隆之 ;

田村辉 ;

上妻宗广 ;

池田匡孝 ;

青木健 .

中国专利 :CN102792677B ,2012-11-21

[7]

半导体器件及其制造方法 [P].

小清水亮 ;

椿茂树 .

日本专利 :CN119153403A ,2024-12-17

[8]

半导体器件及其制造方法 [P].

神野健 ;

后藤洋太郎 .

中国专利 :CN105374835A ,2016-03-02

[9]

半导体器件及其制造方法 [P].

黑川义元 ;

池田隆之 ;

田村辉 ;

上妻宗广 ;

池田匡孝 ;

青木健 .

中国专利 :CN104979369A ,2015-10-14

[10]

半导体器件制造方法及其半导体器件 [P].

杉井信之 ;

中川清和 ;

山口伸也 ;

宫尾正信 .

中国专利 :CN1716570A ,2006-01-04

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