半导体器件及其制造方法

被引:0
专利类型
发明
申请号
CN201510476760.4
申请日
2015-08-06
公开(公告)号
CN105374835A
公开(公告)日
2016-03-02
发明(设计)人
神野健 后藤洋太郎
申请人
申请人地址
日本东京
IPC主分类号
H01L27146
IPC分类号
代理机构
中原信达知识产权代理有限责任公司 11219
代理人
韩峰;孙志湧
法律状态
发明专利申请公布后的视为撤回
国省代码
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共 50 条
[1]
半导体器件及其制造方法 [P]. 
槙山秀树 .
中国专利 :CN106486423A ,2017-03-08
[2]
制造半导体器件的方法 [P]. 
山口直 .
中国专利 :CN104241304A ,2014-12-24
[3]
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川嶋祥之 ;
伊藤文俊 ;
坂井健志 ;
石井泰之 ;
金丸恭弘 ;
桥本孝司 ;
水野真 ;
奥山幸祐 .
中国专利 :CN1534768A ,2004-10-06
[4]
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神野健 .
中国专利 :CN104465684B ,2015-03-25
[5]
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理崎智光 .
中国专利 :CN1848455A ,2006-10-18
[6]
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张磊 ;
李铁生 .
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[7]
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黑川义元 ;
池田隆之 ;
田村辉 ;
上妻宗广 ;
池田匡孝 ;
青木健 .
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[8]
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山口直 .
中国专利 :CN105261625A ,2016-01-20
[9]
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砂村润 ;
金子贵昭 ;
古武直也 ;
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林喜宏 .
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[10]
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郑伍珍 .
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