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半导体器件及其制造方法
被引：0
专利类型：
发明
申请号：
CN201310379457.3
申请日：
2013-08-23
公开(公告)号：
CN103632921B
公开(公告)日：
2014-03-12
发明(设计)人：
砂村润
金子贵昭
古武直也
斋藤忍
林喜宏
申请人：
申请人地址：
日本东京都
IPC主分类号：
H01L2100
IPC分类号：
H01L218238
H01L2900
代理机构：
北京市金杜律师事务所 11256
代理人：
王茂华
法律状态：
专利权的终止
国省代码：
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法律状态
| 法律状态公告日 | 法律状态 | 法律状态信息 |
| 2020-08-07 | 专利权的终止 | 未缴年费专利权终止 IPC(主分类):H01L 21/00 申请日:20130823 授权公告日:20170524 终止日期:20190823 |
| 2014-03-12 | 公开 | 公开 |
| 2015-10-28 | 著录事项变更 | 著录事项变更 号牌文件类型代码:1602 号牌文件序号:101722564048 IPC(主分类):H01L 21/00 专利申请号:2013103794573 变更事项:申请人 变更前:瑞萨电子株式会社 变更后:瑞萨电子株式会社 变更事项:地址 变更前:日本神奈川县 变更后:日本东京都 |
| 2017-05-24 | 授权 | 授权 |
| 2015-03-11 | 实质审查的生效 | 实质审查的生效 号牌文件类型代码:1604 号牌文件序号:101600904208 IPC(主分类):H01L 21/00 专利申请号:2013103794573 申请日:20130823 |