氧化镓场效应晶体管

被引：0

专利类型：

发明

申请号：

CN201810935834.X

申请日：

2018-08-16

公开(公告)号：

CN109148586B

公开(公告)日：

2019-01-04

发明(设计)人：

吕元杰宋旭波王元刚梁士雄谭鑫冯志红

申请人：

申请人地址：

050051 河北省石家庄市新华区合作路113号

IPC主分类号：

H01L2978

IPC分类号：

H01L2910 H01L2920

代理机构：

石家庄国为知识产权事务所 13120

代理人：

陆林生

法律状态：

授权

国省代码：

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法律状态

法律状态公告日	法律状态	法律状态信息
2021-05-18	授权	授权
2019-01-29	实质审查的生效	实质审查的生效 IPC(主分类):H01L 29/78 申请日:20180816
2019-01-04	公开	公开

共 50 条

[1]

氧化镓场效应晶体管 [P].

吕元杰 ;

刘宏宇 ;

王元刚 ;

卜爱民 ;

盛百城 ;

冯志红 .

中国专利 :CN114744047A ,2022-07-12

[2]

氧化镓场效应晶体管 [P].

请求不公布姓名 ;

请求不公布姓名 ;

请求不公布姓名 ;

请求不公布姓名 ;

请求不公布姓名 ;

请求不公布姓名 .

中国专利 :CN114639736B ,2025-04-08

[3]

氧化镓场效应晶体管 [P].

吕元杰 ;

宋旭波 ;

冯志红 ;

周幸叶 ;

王元刚 ;

谭鑫 .

中国专利 :CN107742647A ,2018-02-27

[4]

氧化镓场效应晶体管 [P].

吕元杰 ;

宋旭波 ;

冯志红 ;

周幸叶 ;

王元刚 ;

谭鑫 .

中国专利 :CN207398151U ,2018-05-22

[5]

氧化镓场效应晶体管 [P].

不公告发明人 .

中国专利 :CN114639736A ,2022-06-17

[6]

氧化镓垂直场效应晶体管制备方法及场效应晶体管 [P].

刘宏宇 ;

吕元杰 ;

王元刚 ;

卜爱民 ;

盛百城 ;

冯志红 .

中国专利 :CN114743881A ,2022-07-12

[7]

氧化镓垂直场效应晶体管制备方法及场效应晶体管 [P].

刘宏宇 ;

吕元杰 ;

王元刚 ;

卜爱民 ;

许靖 ;

冯志红 .

中国专利 :CN114743883A ,2022-07-12

[8]

氮化镓场效应晶体管 [P].

A·M·海尔德 ;

J·约翰 .

中国专利 :CN105164810A ,2015-12-16

[9]

一种氧化镓场效应晶体管 [P].

潘俊 ;

肖海林 ;

张胜源 ;

张灯奎 .

中国专利 :CN221632572U ,2024-08-30

[10]

氧化镓场效应晶体管的制备方法 [P].

吕元杰 ;

刘宏宇 ;

王元刚 ;

付兴昌 ;

方园 ;

冯志红 .

中国专利 :CN114743882B ,2025-11-21

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