氧化镓场效应晶体管

被引：0

专利类型：

实用新型

申请号：

CN201721559577.1

申请日：

2017-11-21

公开(公告)号：

CN207398151U

公开(公告)日：

2018-05-22

发明(设计)人：

吕元杰宋旭波冯志红周幸叶王元刚谭鑫

申请人：

申请人地址：

050000 河北省石家庄市合作路113号

IPC主分类号：

H01L2978

IPC分类号：

H01L29812 H01L29423

代理机构：

石家庄国为知识产权事务所 13120

代理人：

王丽巧

法律状态：

授权

国省代码：

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法律状态

法律状态公告日	法律状态	法律状态信息
2018-05-22	授权	授权

共 50 条

[1]

氧化镓场效应晶体管 [P].

吕元杰 ;

宋旭波 ;

冯志红 ;

周幸叶 ;

王元刚 ;

谭鑫 .

中国专利 :CN107742647A ,2018-02-27

[2]

氧化镓场效应晶体管 [P].

吕元杰 ;

宋旭波 ;

王元刚 ;

梁士雄 ;

谭鑫 ;

冯志红 .

中国专利 :CN109148586B ,2019-01-04

[3]

氧化镓场效应晶体管 [P].

吕元杰 ;

刘宏宇 ;

王元刚 ;

卜爱民 ;

盛百城 ;

冯志红 .

中国专利 :CN114744047A ,2022-07-12

[4]

氧化镓场效应晶体管 [P].

请求不公布姓名 ;

请求不公布姓名 ;

请求不公布姓名 ;

请求不公布姓名 ;

请求不公布姓名 ;

请求不公布姓名 .

中国专利 :CN114639736B ,2025-04-08

[5]

氧化镓场效应晶体管 [P].

不公告发明人 .

中国专利 :CN114639736A ,2022-06-17

[6]

氧化镓垂直场效应晶体管制备方法及场效应晶体管 [P].

刘宏宇 ;

吕元杰 ;

王元刚 ;

卜爱民 ;

盛百城 ;

冯志红 .

中国专利 :CN114743881A ,2022-07-12

[7]

氧化镓垂直场效应晶体管制备方法及场效应晶体管 [P].

刘宏宇 ;

吕元杰 ;

王元刚 ;

卜爱民 ;

许靖 ;

冯志红 .

中国专利 :CN114743883A ,2022-07-12

[8]

一种氧化镓场效应晶体管 [P].

潘俊 ;

肖海林 ;

张胜源 ;

张灯奎 .

中国专利 :CN221632572U ,2024-08-30

[9]

氧化镓场效应晶体管的制备方法 [P].

吕元杰 ;

宋旭波 ;

冯志红 ;

谭鑫 ;

王元刚 ;

周幸叶 ;

马春雷 ;

邹学锋 .

中国专利 :CN107464844A ,2017-12-12

[10]

氮化镓场效应晶体管 [P].

A·M·海尔德 ;

J·约翰 .

中国专利 :CN105164810A ,2015-12-16

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