功率半导体器件及其制造方法

被引：0

专利类型：

发明

申请号：

CN201811056630.5

申请日：

2018-09-11

公开(公告)号：

CN110277441A

公开(公告)日：

2019-09-24

发明(设计)人：

李泰勋赵准煕郑真诚

申请人：

申请人地址：

韩国忠清北道

IPC主分类号：

H01L2940

IPC分类号：

H01L29417 H01L2906 H01L2978 H01L21336 H01L2128

代理机构：

北京集佳知识产权代理有限公司 11227

代理人：

唐京桥;刘雯鑫

法律状态：

公开

国省代码：

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法律状态

法律状态公告日	法律状态	法律状态信息
2019-09-24	公开	公开
2021-01-22	实质审查的生效	实质审查的生效 IPC(主分类):H01L 29/40 申请日:20180911
2020-11-06	专利申请权、专利权的转移	专利申请权的转移 IPC(主分类):H01L 29/40 登记生效日:20201023 变更事项:申请人变更前权利人:美格纳半导体有限公司变更后权利人:启方半导体有限公司变更事项:地址变更前权利人:韩国忠清北道变更后权利人:韩国忠清北道

共 50 条

[1]

功率半导体器件及其制造方法 [P].

河定穆 ;

禹赫 ;

金信儿 ;

金台烨 .

中国专利 :CN113707707A ,2021-11-26

[2]

功率半导体器件及其制造方法 [P].

河定穆 .

中国专利 :CN114141874A ,2022-03-04

[3]

功率半导体器件及其制造方法 [P].

河定穆 ;

禹赫 ;

金信儿 ;

金台烨 .

韩国专利 :CN113707707B ,2025-04-08

[4]

功率半导体器件及其制造方法 [P].

河定穆 ;

禹赫 ;

金信儿 ;

金台烨 .

中国专利 :CN113725298A ,2021-11-30

[5]

功率半导体器件及其制造方法 [P].

金莹俊 ;

禹赫 ;

金台烨 ;

赵汉信 ;

朴泰泳 ;

李珠焕 .

中国专利 :CN107464834B ,2017-12-12

[6]

功率半导体器件及其制造方法 [P].

河定穆 ;

禹赫 ;

金信儿 ;

金台烨 .

韩国专利 :CN113725298B ,2025-06-03

[7]

功率半导体器件的制造方法 [P].

高民求 ;

金永哲 ;

金钟燮 ;

朴永焕 ;

金台勋 ;

朴庆善 ;

洪正杓 .

韩国专利 :CN121078745A ,2025-12-05

[8]

制造功率半导体器件的方法 [P].

金虎铉 ;

许承培 ;

宋承昱 ;

朴廷桓 ;

杨河龙 ;

金仁洙 .

中国专利 :CN111490097A ,2020-08-04

[9]

功率半导体器件及其制造方法 [P].

杨彦涛 ;

夏志平 ;

王维建 .

中国专利 :CN107910266A ,2018-04-13

[10]

功率半导体器件及其制造方法 [P].

杨彦涛 ;

徐丹 ;

陈琛 .

中国专利 :CN107910267A ,2018-04-13

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