制造功率半导体器件的方法

被引：0

专利类型：

发明

申请号：

CN202010113045.5

申请日：

2013-07-25

公开(公告)号：

CN111490097A

公开(公告)日：

2020-08-04

发明(设计)人：

金虎铉许承培宋承昱朴廷桓杨河龙金仁洙

申请人：

申请人地址：

韩国忠清北道

IPC主分类号：

H01L29739

IPC分类号：

H01L21331 H01L2966 H01L2978 H01L21336

代理机构：

北京集佳知识产权代理有限公司 11227

代理人：

王萍;王鹏

法律状态：

实质审查的生效

国省代码：

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法律状态

法律状态公告日	法律状态	法律状态信息
2020-08-28	实质审查的生效	实质审查的生效 IPC(主分类):H01L 29/739 申请日:20130725
2020-08-04	公开	公开

共 50 条

[1]

功率半导体器件的制造方法 [P].

高民求 ;

金永哲 ;

金钟燮 ;

朴永焕 ;

金台勋 ;

朴庆善 ;

洪正杓 .

韩国专利 :CN121078745A ,2025-12-05

[2]

用于制造功率半导体器件的方法 [P].

A·科普塔 ;

M·拉希莫 .

中国专利 :CN101770949B ,2010-07-07

[3]

功率半导体器件及其制造方法 [P].

河定穆 ;

禹赫 ;

金信儿 ;

金台烨 .

中国专利 :CN113707707A ,2021-11-26

[4]

功率半导体器件及其制造方法 [P].

河定穆 .

中国专利 :CN114141874A ,2022-03-04

[5]

功率半导体器件及其制造方法 [P].

河定穆 ;

禹赫 ;

金信儿 ;

金台烨 .

韩国专利 :CN113707707B ,2025-04-08

[6]

功率半导体器件及其制造方法 [P].

李泰勋 ;

赵准煕 ;

郑真诚 .

中国专利 :CN110277441A ,2019-09-24

[7]

功率半导体器件及用于制造功率半导体器件的方法 [P].

李光远 ;

徐永浩 ;

马丁·多梅杰 ;

朴金硕 .

中国专利 :CN112397590A ,2021-02-23

[8]

功率半导体器件及制造该功率半导体器件的方法 [P].

黄瑄珪 ;

金钟燮 .

中国专利 :CN115148793A ,2022-10-04

[9]

功率半导体器件和用于制造功率半导体器件的方法 [P].

洪性兆 ;

姜守昶 ;

杨河龙 ;

徐永浩 .

中国专利 :CN110098124A ,2019-08-06

[10]

功率半导体器件的制造方法 [P].

尹振忠 ;

施凯 ;

张娟 ;

高斌 .

中国专利 :CN119108272A ,2024-12-10

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