半导体器件的形成方法

被引：0

专利类型：

发明

申请号：

CN201210556675.5

申请日：

2012-12-20

公开(公告)号：

CN103077926B

公开(公告)日：

2013-05-01

发明(设计)人：

王哲献江红李冰寒高超胡勇于涛

申请人：

申请人地址：

201203 上海市浦东新区张江高科技园区祖冲之路1399号

IPC主分类号：

H01L218247

IPC分类号：

H01L2102

代理机构：

北京集佳知识产权代理有限公司 11227

代理人：

骆苏华

法律状态：

专利申请权、专利权的转移

国省代码：

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法律状态

法律状态公告日	法律状态	法律状态信息
2014-04-30	专利申请权、专利权的转移	专利申请权的转移号牌文件类型代码:1602 号牌文件序号:101700520487 IPC(主分类):H01L 21/8247 专利申请号:2012105566755 变更事项:申请人变更前权利人:上海宏力半导体制造有限公司变更后权利人:上海华虹宏力半导体制造有限公司变更事项:地址变更前权利人:201203 上海市浦东新区张江高科技园区祖冲之路1399号变更后权利人:201203 上海市浦东新区张江高科技园区祖冲之路1399号登记生效日:20140408
2013-05-01	公开	公开
2014-07-30	实质审查的生效	实质审查的生效号牌文件类型代码:1604 号牌文件序号:101583993220 IPC(主分类):H01L 21/8247 专利申请号:2012105566755 申请日:20121220
2016-06-29	授权	授权

共 50 条

[1]

半导体器件及其形成方法 [P].

洪中山 .

中国专利 :CN103545179B ,2014-01-29

[2]

半导体器件的形成方法 [P].

鲍宇 .

中国专利 :CN102891102B ,2013-01-23

[3]

半导体器件的形成方法 [P].

卜伟海 ;

洪中山 .

中国专利 :CN103681465A ,2014-03-26

[4]

半导体器件的形成方法 [P].

吴金刚 ;

倪景华 ;

黄晓辉 .

中国专利 :CN102487048B ,2012-06-06

[5]

半导体器件及其形成方法 [P].

李勇 .

中国专利 :CN109786248A ,2019-05-21

[6]

半导体器件的形成方法 [P].

毛刚 .

中国专利 :CN104752348B ,2015-07-01

[7]

半导体器件的形成方法 [P].

林艺辉 .

中国专利 :CN105529253A ,2016-04-27

[8]

半导体器件的形成方法 [P].

王哲献 .

中国专利 :CN103050380A ,2013-04-17

[9]

半导体器件的形成方法 [P].

张永福 ;

李冰寒 ;

江红 ;

王哲献 ;

高超 .

中国专利 :CN105655297A ,2016-06-08

[10]

半导体器件的栅极形成方法 [P].

毛刚 ;

王家佳 .

中国专利 :CN101355029B ,2009-01-28

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