非易失性半导体存储器及其制造方法

被引：0

专利类型：

发明

申请号：

CN02142997.9

申请日：

2002-06-26

公开(公告)号：

CN1414637A

公开(公告)日：

2003-04-30

发明(设计)人：

有留诚一

申请人：

申请人地址：

日本东京都

IPC主分类号：

H01L2710

IPC分类号：

H01L218239

代理机构：

中国国际贸易促进委员会专利商标事务所

代理人：

杜日新

法律状态：

公开

国省代码：

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法律状态

法律状态公告日	法律状态	法律状态信息
2003-04-30	公开	公开
2013-02-27	发明专利申请公布后的视为撤回	发明专利申请公布后的视为撤回号牌文件类型代码:1603 号牌文件序号:101520404873 IPC(主分类):H01L 27/10 专利申请号:021429979 申请公布日:20030430
2011-04-06	实质审查的生效	实质审查的生效号牌文件类型代码:1604 号牌文件序号:101062088118 IPC(主分类):H01L 27/10 专利申请号:021429979 申请日:20020626

共 50 条

[1]

非易失性半导体存储器、半导体器件和非易失性半导体存储器的制造方法 [P].

三谷祐一郎 ;

松下大介 ;

大场龙二 ;

上冈功 ;

小泽良夫 .

中国专利 :CN1905213A ,2007-01-31

[2]

非易失性半导体存储器及其制造工艺 [P].

上田直树 ;

杉田靖博 ;

山内祥光 .

中国专利 :CN1220266C ,2003-06-25

[3]

非易失性半导体存储器的制造方法和非易失性半导体存储器 [P].

井口直 ;

角田弘昭 .

中国专利 :CN1477701A ,2004-02-25

[4]

非易失性半导体存储器及其制造方法 [P].

坂本治 ;

辻直树 ;

清水悟 .

中国专利 :CN1303127A ,2001-07-11

[5]

非易失性半导体存储器件及其制造方法 [P].

石原贵光 ;

村冈浩一 .

中国专利 :CN101540328A ,2009-09-23

[6]

非易失性半导体存储器件及其制造方法 [P].

橋本広司 ;

高橋浩司 .

中国专利 :CN1461056A ,2003-12-10

[7]

非易失性半导体存储器晶体管、非易失性半导体存储器及非易失性半导体存储器的制造方法 [P].

舛冈富士雄 ;

中村广记 .

中国专利 :CN102280492B ,2011-12-14

[8]

非易失性半导体存储器及其驱动方法 [P].

舛冈富士雄 ;

中村广记 .

中国专利 :CN101490838B ,2009-07-22

[9]

非易失性半导体存储器及其驱动方法 [P].

舛冈富士雄 ;

中村广记 .

中国专利 :CN101490837B ,2009-07-22

[10]

非易失半导体存储器及其制造方法 [P].

篠崎智志 ;

饭岛光辉 ;

栗原英男 .

中国专利 :CN1320655C ,2003-10-29

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