非易失性半导体存储器的制造方法和非易失性半导体存储器

被引：0

专利类型：

发明

申请号：

CN03133093.2

申请日：

2003-07-25

公开(公告)号：

CN1477701A

公开(公告)日：

2004-02-25

发明(设计)人：

井口直角田弘昭

申请人：

申请人地址：

日本东京都

IPC主分类号：

H01L218246

IPC分类号：

H01L218239

代理机构：

中国国际贸易促进委员会专利商标事务所

代理人：

王永刚

法律状态：

授权

国省代码：

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法律状态

法律状态公告日	法律状态	法律状态信息
2006-03-15	授权	授权
2014-09-17	专利权的终止	未缴年费专利权终止号牌文件类型代码:1605 号牌文件序号:101586967608 IPC(主分类):H01L 21/8246 专利号:ZL031330932 申请日:20030725 授权公告日:20060315 终止日期:20130725
2004-02-25	公开	公开
2004-05-05	实质审查的生效	实质审查的生效

共 50 条

[1]

非易失性半导体存储器、半导体器件和非易失性半导体存储器的制造方法 [P].

三谷祐一郎 ;

松下大介 ;

大场龙二 ;

上冈功 ;

小泽良夫 .

中国专利 :CN1905213A ,2007-01-31

[2]

非易失性半导体存储器晶体管、非易失性半导体存储器及非易失性半导体存储器的制造方法 [P].

舛冈富士雄 ;

中村广记 .

中国专利 :CN102280492B ,2011-12-14

[3]

非易失性半导体存储器 [P].

大场竜二 ;

松下大介 .

中国专利 :CN102473682B ,2012-05-23

[4]

非易失性半导体存储器晶体管及非易失性半导体存储器的制造方法 [P].

舛冈富士雄 ;

中村广记 .

中国专利 :CN102347371A ,2012-02-08

[5]

非易失性半导体存储器晶体管及非易失性半导体存储器的制造方法 [P].

舛冈富士雄 ;

中村广记 .

中国专利 :CN102347370B ,2012-02-08

[6]

非易失性半导体存储器 [P].

清水和裕 ;

竹内祐司 .

中国专利 :CN1310332C ,2004-09-22

[7]

非易失性半导体存储器 [P].

国清辰也 .

中国专利 :CN1380697A ,2002-11-20

[8]

非易失性半导体存储器 [P].

加藤宏 ;

久家重博 ;

野田英行 ;

森下玄 ;

上野修一 .

中国专利 :CN1467851A ,2004-01-14

[9]

非易失性半导体存储器 [P].

清水达雄 ;

村冈浩一 .

中国专利 :CN101471385A ,2009-07-01

[10]

非易失性半导体存储器 [P].

草壁嘉彦 ;

大音建一 ;

川崎贤 .

中国专利 :CN101013600A ,2007-08-08

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