非易失性半导体存储器

被引：0

专利类型：

发明

申请号：

CN01143671.9

申请日：

2001-12-17

公开(公告)号：

CN1380697A

公开(公告)日：

2002-11-20

发明(设计)人：

国清辰也

申请人：

申请人地址：

日本东京都

IPC主分类号：

H01L2710

IPC分类号：

H01L27112

代理机构：

中国专利代理(香港)有限公司

代理人：

杨凯;王忠忠

法律状态：

实质审查的生效

国省代码：

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法律状态

法律状态公告日	法律状态	法律状态信息
2002-05-01	实质审查的生效	实质审查的生效
2014-05-07	专利申请权、专利权的转移	专利权的转移号牌文件类型代码:1602 号牌文件序号:101700724624 IPC(主分类):H01L 27/10 专利号:ZL011436719 变更事项:专利权人变更前权利人:三菱电机株式会社变更后权利人:瑞萨电子株式会社变更事项:地址变更前权利人:日本东京都变更后权利人:日本神奈川县川崎市登记生效日:20140416
2005-12-07	授权	授权
2003-01-29	实质审查的生效	实质审查的生效
2003-02-12	实质审查的生效	实质审查的生效
2002-11-20	公开	公开
2018-12-07	专利权的终止	未缴年费专利权终止 IPC(主分类):H01L 27/10 申请日:20011217 授权公告日:20051207 终止日期:20171217

共 50 条

[1]

非易失性半导体存储器 [P].

大场竜二 ;

松下大介 .

中国专利 :CN102473682B ,2012-05-23

[2]

非易失性半导体存储器 [P].

加藤宏 ;

久家重博 ;

野田英行 ;

森下玄 ;

上野修一 .

中国专利 :CN1467851A ,2004-01-14

[3]

非易失性半导体存储器 [P].

草壁嘉彦 ;

大音建一 ;

川崎贤 .

中国专利 :CN101013600A ,2007-08-08

[4]

非易失性半导体存储器 [P].

渡边浩志 .

中国专利 :CN101127367A ,2008-02-20

[5]

非易失性半导体存储器的制造方法和非易失性半导体存储器 [P].

井口直 ;

角田弘昭 .

中国专利 :CN1477701A ,2004-02-25

[6]

非易失性半导体存储器、半导体器件和非易失性半导体存储器的制造方法 [P].

三谷祐一郎 ;

松下大介 ;

大场龙二 ;

上冈功 ;

小泽良夫 .

中国专利 :CN1905213A ,2007-01-31

[7]

非易失性半导体存储器器件 [P].

福住嘉晃 ;

田中启安 ;

小森阳介 ;

石月惠 ;

鬼头杰 ;

青地英明 ;

胜又竜太 ;

木藤大 .

中国专利 :CN102089878A ,2011-06-08

[8]

非易失性半导体存储器 [P].

田中智晴 .

中国专利 :CN1497730A ,2004-05-19

[9]

非易失性半导体存储器 [P].

清水和裕 ;

竹内祐司 .

中国专利 :CN1310332C ,2004-09-22

[10]

非易失性半导体存储器 [P].

菅原宽 .

中国专利 :CN1190785A ,1998-08-19

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