薄膜晶体管、薄膜晶体管制造方法和电子装置

被引:0
专利类型
发明
申请号
CN201110127816.7
申请日
2011-05-17
公开(公告)号
CN102263202A
公开(公告)日
2011-11-30
发明(设计)人
川岛纪之 村瀬英寿 胜原真央
申请人
申请人地址
日本东京
IPC主分类号
H01L5140
IPC分类号
H01L5105 H01L5110 H01L5130 B23K2636
代理机构
北京信慧永光知识产权代理有限责任公司 11290
代理人
陈桂香;武玉琴
法律状态
公开
国省代码
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共 50 条
[1]
薄膜晶体管制造方法、薄膜晶体管以及电子装置 [P]. 
胜原真央 ;
米屋伸英 .
中国专利 :CN102224580A ,2011-10-19
[2]
薄膜晶体管、薄膜晶体管制造方法及电子单元 [P]. 
胜原真央 .
中国专利 :CN102956823A ,2013-03-06
[3]
薄膜晶体管制造方法以及薄膜晶体管 [P]. 
森村太郎 ;
菊池亨 ;
桥本征典 ;
浅利伸 ;
斋藤一也 ;
中村久三 .
中国专利 :CN101939829B ,2011-01-05
[4]
薄膜晶体管制造方法及薄膜晶体管 [P]. 
古田守 ;
相马功儿 .
中国专利 :CN1273436A ,2000-11-15
[5]
薄膜晶体管、显示装置和薄膜晶体管制造方法 [P]. 
松岛吉明 ;
石田茂 ;
高仓良平 ;
宇津木觉 ;
野寺伸武 ;
松本隆夫 ;
道中悟志 .
中国专利 :CN109417099A ,2019-03-01
[6]
薄膜晶体管和薄膜晶体管制备方法 [P]. 
胡小波 ;
谭敏力 ;
彭钊 ;
刘健 ;
杨一峰 .
中国专利 :CN111599869A ,2020-08-28
[7]
薄膜晶体管制造方法 [P]. 
吴英明 ;
苏大荣 ;
许翼材 ;
高金字 .
中国专利 :CN100405560C ,2006-02-01
[8]
薄膜晶体管、薄膜晶体管制造方法及电子设备 [P]. 
横关弥树博 .
中国专利 :CN103325817A ,2013-09-25
[9]
薄膜晶体管和用于制造薄膜晶体管的方法 [P]. 
田中正信 ;
石原弘嗣 ;
陈海晶 ;
栗原研一 .
中国专利 :CN101931051A ,2010-12-29
[10]
薄膜晶体管和用于制造薄膜晶体管的方法 [P]. 
野本和正 ;
胜原真央 ;
汤本昭 .
中国专利 :CN101867017B ,2010-10-20