一种用于磁敏传感器的磁性纳米多层膜及其制备方法

被引：0

专利类型：

发明

申请号：

CN201210285542.9

申请日：

2012-08-10

公开(公告)号：

CN103579495B

公开(公告)日：

2014-02-12

发明(设计)人：

吴昊丰家峰陈军养韩秀峰

申请人：

申请人地址：

100190 北京市海淀区中关村南三街8号

IPC主分类号：

H01L4308

IPC分类号：

H01L4312 H01F1032

代理机构：

北京律诚同业知识产权代理有限公司 11006

代理人：

梁挥;尚群

法律状态：

公开

国省代码：

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法律状态

法律状态公告日	法律状态	法律状态信息
2014-02-12	公开	公开
2016-06-29	授权	授权
2014-04-30	实质审查的生效	实质审查的生效号牌文件类型代码:1604 号牌文件序号:101581751685 IPC(主分类):H01L 43/08 专利申请号:2012102855429 申请日:20120810

共 50 条

[1]

用于磁敏传感器的GMR磁性纳米多层膜 [P].

不公告发明人 .

中国专利 :CN104900800A ,2015-09-09

[2]

一种用于磁敏传感器的磁性纳米多层膜及其制造方法 [P].

马勤礼 ;

刘厚方 ;

韩秀峰 .

中国专利 :CN102270736B ,2011-12-07

[3]

一种用于温度传感器的纳米磁性多层膜及其制造方法 [P].

韩秀峰 ;

袁忠辉 ;

刘盼 ;

于国强 ;

丰家峰 ;

张殿琳 .

中国专利 :CN105122489A ,2015-12-02

[4]

软磁多层膜力敏传感器及其制备方法 [P].

周勇 ;

陈吉安 ;

丁文 ;

张亚民 ;

高孝裕 .

中国专利 :CN1603765A ,2005-04-06

[5]

一种磁敏传感器及其制备工艺 [P].

秦玉伟 .

中国专利 :CN104614050A ,2015-05-13

[6]

纳米磁敏转速传感器 [P].

杨燮龙 ;

杨介信 ;

戴文恺 .

中国专利 :CN1538179A ,2004-10-20

[7]

纳米磁敏转速传感器 [P].

杨燮龙 ;

杨介信 ;

于尊涌 ;

戴文恺 .

中国专利 :CN2526851Y ,2002-12-18

[8]

一种磁敏传感器 [P].

龙克文 ;

徐晓兵 ;

陈勇胜 ;

颜陶 .

中国专利 :CN203083664U ,2013-07-24

[9]

一种多层防护式磁敏位置传感器 [P].

罗伟杰 ;

颜天宝 .

中国专利 :CN117405157A ,2024-01-16

[10]

一种多层防护式磁敏位置传感器 [P].

罗伟杰 ;

颜天宝 .

中国专利 :CN221376701U ,2024-07-19

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