用于磁敏传感器的GMR磁性纳米多层膜

被引：0

专利类型：

发明

申请号：

CN201410074695.8

申请日：

2014-03-03

公开(公告)号：

CN104900800A

公开(公告)日：

2015-09-09

发明(设计)人：

不公告发明人

申请人：

申请人地址：

100083 北京市海淀区信息路甲28号科实大厦B座10层A-1

IPC主分类号：

H01L4308

IPC分类号：

H01L4310 H01F1012 G01R3309 B82Y2500

代理机构：

代理人：

法律状态：

公开

国省代码：

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法律状态

法律状态公告日	法律状态	法律状态信息
2015-09-09	公开	公开
2020-03-27	发明专利申请公布后的驳回	发明专利申请公布后的驳回 IPC(主分类):H01L 43/08 申请公布日:20150909
2017-06-23	实质审查的生效	实质审查的生效号牌文件类型代码:1604 号牌文件序号:101727981671 IPC(主分类):H01L 43/08 专利申请号:2014100746958 申请日:20140303

共 50 条

[1]

一种用于磁敏传感器的磁性纳米多层膜及其制造方法 [P].

马勤礼 ;

刘厚方 ;

韩秀峰 .

中国专利 :CN102270736B ,2011-12-07

[2]

一种用于磁敏传感器的磁性纳米多层膜及其制备方法 [P].

吴昊 ;

丰家峰 ;

陈军养 ;

韩秀峰 .

中国专利 :CN103579495B ,2014-02-12

[3]

磁敏传感器 [P].

姚印方 .

中国专利 :CN2032727U ,1989-02-15

[4]

多层纳米颗粒膜增敏的光纤氢气传感器 [P].

刘繄 ;

李艳莉 .

中国专利 :CN104316461A ,2015-01-28

[5]

一种用于温度传感器的纳米磁性多层膜及其制造方法 [P].

韩秀峰 ;

袁忠辉 ;

刘盼 ;

于国强 ;

丰家峰 ;

张殿琳 .

中国专利 :CN105122489A ,2015-12-02

[6]

磁敏传感器 [P].

张年容 ;

陈剑 ;

俞方 ;

朱云 ;

郑主惠 ;

周卫琴 .

中国专利 :CN201247067Y ,2009-05-27

[7]

磁敏传感器 [P].

陈立民 .

中国专利 :CN2241345Y ,1996-11-27

[8]

磁敏传感器 [P].

刘一凡 ;

诸水龙 .

中国专利 :CN2208697Y ,1995-09-27

[9]

纳米磁敏转速传感器 [P].

杨燮龙 ;

杨介信 ;

戴文恺 .

中国专利 :CN1538179A ,2004-10-20

[10]

纳米磁敏转速传感器 [P].

杨燮龙 ;

杨介信 ;

于尊涌 ;

戴文恺 .

中国专利 :CN2526851Y ,2002-12-18

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