一种二次退火的单晶硅SE-PERC电池的制造方法

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专利类型
发明
申请号
CN201911103064.3
申请日
2019-11-12
公开(公告)号
CN110931598A
公开(公告)日
2020-03-27
发明(设计)人
韩大伟 林纲正 陈刚
申请人
申请人地址
322000 浙江省金华市义乌市苏溪镇好派路655号
IPC主分类号
H01L3118
IPC分类号
H01L310687
代理机构
浙江杭州金通专利事务所有限公司 33100
代理人
金丽英
法律状态
实质审查的生效
国省代码
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共 50 条
[1]
一种红外激光退火的单晶硅SE-PERC电池的制造方法 [P]. 
韩大伟 ;
林纲正 ;
陈刚 .
中国专利 :CN110993728A ,2020-04-10
[2]
一种高效单晶硅SE-PERC电池片的制备方法 [P]. 
王贵梅 ;
张志敏 ;
刘苗 .
中国专利 :CN112635590A ,2021-04-09
[3]
一种单晶硅SE-PERC太阳能电池制造方法 [P]. 
韩大伟 ;
林纲正 ;
陈刚 .
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[4]
一种单晶硅PERC+SE太阳能电池的制造工艺 [P]. 
朱腾骏 ;
徐晓斌 ;
李正清 ;
潘长亮 .
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[5]
单晶硅的制造方法及单晶硅 [P]. 
横山龙介 ;
藤原俊幸 .
中国专利 :CN108291327A ,2018-07-17
[6]
单晶硅材料的退火方法 [P]. 
顾燕滨 ;
丁亚国 ;
王浩 ;
吴悦 .
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[7]
单晶硅的制造方法及单晶硅制造装置 [P]. 
坂本英城 ;
杉村涉 ;
横山龙介 ;
松岛直辉 ;
四井拓也 .
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[8]
单晶硅的制造方法及单晶硅制造装置 [P]. 
杉村涉 ;
横山龙介 ;
坂本英城 ;
松岛直辉 ;
村松祐 .
日本专利 :CN121002233A ,2025-11-21
[9]
单晶硅的制造方法、单晶硅及硅晶片 [P]. 
伊关崇志 ;
鸣嶋康人 .
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[10]
单晶硅生长炉的二次加料装置 [P]. 
刘军波 ;
牛照伦 ;
王三朋 .
中国专利 :CN213388966U ,2021-06-08