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一种二次退火的单晶硅SE-PERC电池的制造方法
被引:0
专利类型
:
发明
申请号
:
CN201911103064.3
申请日
:
2019-11-12
公开(公告)号
:
CN110931598A
公开(公告)日
:
2020-03-27
发明(设计)人
:
韩大伟
林纲正
陈刚
申请人
:
申请人地址
:
322000 浙江省金华市义乌市苏溪镇好派路655号
IPC主分类号
:
H01L3118
IPC分类号
:
H01L310687
代理机构
:
浙江杭州金通专利事务所有限公司 33100
代理人
:
金丽英
法律状态
:
实质审查的生效
国省代码
:
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法律状态
法律状态公告日
法律状态
法律状态信息
2020-04-21
实质审查的生效
实质审查的生效 IPC(主分类):H01L 31/18 申请日:20191112
2021-04-30
发明专利申请公布后的撤回
发明专利申请公布后的撤回 IPC(主分类):H01L 31/18 申请公布日:20200327
2020-03-27
公开
公开
共 50 条
[1]
一种红外激光退火的单晶硅SE-PERC电池的制造方法
[P].
韩大伟
论文数:
0
引用数:
0
h-index:
0
韩大伟
;
林纲正
论文数:
0
引用数:
0
h-index:
0
林纲正
;
陈刚
论文数:
0
引用数:
0
h-index:
0
陈刚
.
中国专利
:CN110993728A
,2020-04-10
[2]
一种高效单晶硅SE-PERC电池片的制备方法
[P].
王贵梅
论文数:
0
引用数:
0
h-index:
0
王贵梅
;
张志敏
论文数:
0
引用数:
0
h-index:
0
张志敏
;
刘苗
论文数:
0
引用数:
0
h-index:
0
刘苗
.
中国专利
:CN112635590A
,2021-04-09
[3]
一种单晶硅SE-PERC太阳能电池制造方法
[P].
韩大伟
论文数:
0
引用数:
0
h-index:
0
韩大伟
;
林纲正
论文数:
0
引用数:
0
h-index:
0
林纲正
;
陈刚
论文数:
0
引用数:
0
h-index:
0
陈刚
.
中国专利
:CN111106206A
,2020-05-05
[4]
一种单晶硅PERC+SE太阳能电池的制造工艺
[P].
朱腾骏
论文数:
0
引用数:
0
h-index:
0
朱腾骏
;
徐晓斌
论文数:
0
引用数:
0
h-index:
0
徐晓斌
;
李正清
论文数:
0
引用数:
0
h-index:
0
李正清
;
潘长亮
论文数:
0
引用数:
0
h-index:
0
潘长亮
.
中国专利
:CN114335252A
,2022-04-12
[5]
单晶硅的制造方法及单晶硅
[P].
横山龙介
论文数:
0
引用数:
0
h-index:
0
横山龙介
;
藤原俊幸
论文数:
0
引用数:
0
h-index:
0
藤原俊幸
.
中国专利
:CN108291327A
,2018-07-17
[6]
单晶硅材料的退火方法
[P].
顾燕滨
论文数:
0
引用数:
0
h-index:
0
机构:
宁夏盾源聚芯半导体科技股份有限公司
宁夏盾源聚芯半导体科技股份有限公司
顾燕滨
;
丁亚国
论文数:
0
引用数:
0
h-index:
0
机构:
宁夏盾源聚芯半导体科技股份有限公司
宁夏盾源聚芯半导体科技股份有限公司
丁亚国
;
王浩
论文数:
0
引用数:
0
h-index:
0
机构:
宁夏盾源聚芯半导体科技股份有限公司
宁夏盾源聚芯半导体科技股份有限公司
王浩
;
吴悦
论文数:
0
引用数:
0
h-index:
0
机构:
宁夏盾源聚芯半导体科技股份有限公司
宁夏盾源聚芯半导体科技股份有限公司
吴悦
.
中国专利
:CN120776456A
,2025-10-14
[7]
单晶硅的制造方法及单晶硅制造装置
[P].
坂本英城
论文数:
0
引用数:
0
h-index:
0
机构:
胜高股份有限公司
胜高股份有限公司
坂本英城
;
杉村涉
论文数:
0
引用数:
0
h-index:
0
机构:
胜高股份有限公司
胜高股份有限公司
杉村涉
;
横山龙介
论文数:
0
引用数:
0
h-index:
0
机构:
胜高股份有限公司
胜高股份有限公司
横山龙介
;
松岛直辉
论文数:
0
引用数:
0
h-index:
0
机构:
胜高股份有限公司
胜高股份有限公司
松岛直辉
;
四井拓也
论文数:
0
引用数:
0
h-index:
0
机构:
胜高股份有限公司
胜高股份有限公司
四井拓也
.
日本专利
:CN120981615A
,2025-11-18
[8]
单晶硅的制造方法及单晶硅制造装置
[P].
杉村涉
论文数:
0
引用数:
0
h-index:
0
机构:
胜高股份有限公司
胜高股份有限公司
杉村涉
;
横山龙介
论文数:
0
引用数:
0
h-index:
0
机构:
胜高股份有限公司
胜高股份有限公司
横山龙介
;
坂本英城
论文数:
0
引用数:
0
h-index:
0
机构:
胜高股份有限公司
胜高股份有限公司
坂本英城
;
松岛直辉
论文数:
0
引用数:
0
h-index:
0
机构:
胜高股份有限公司
胜高股份有限公司
松岛直辉
;
村松祐
论文数:
0
引用数:
0
h-index:
0
机构:
胜高股份有限公司
胜高股份有限公司
村松祐
.
日本专利
:CN121002233A
,2025-11-21
[9]
单晶硅的制造方法、单晶硅及硅晶片
[P].
伊关崇志
论文数:
0
引用数:
0
h-index:
0
机构:
胜高股份有限公司
胜高股份有限公司
伊关崇志
;
鸣嶋康人
论文数:
0
引用数:
0
h-index:
0
机构:
胜高股份有限公司
胜高股份有限公司
鸣嶋康人
.
日本专利
:CN114929950B
,2024-08-23
[10]
单晶硅生长炉的二次加料装置
[P].
刘军波
论文数:
0
引用数:
0
h-index:
0
刘军波
;
牛照伦
论文数:
0
引用数:
0
h-index:
0
牛照伦
;
王三朋
论文数:
0
引用数:
0
h-index:
0
王三朋
.
中国专利
:CN213388966U
,2021-06-08
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