减少聚合物沉积的设备

被引：0

专利类型：

实用新型

申请号：

CN201922202771.X

申请日：

2019-12-04

公开(公告)号：

CN210722949U

公开(公告)日：

2020-06-09

发明(设计)人：

A·恩古耶 X·常 S·劳夫 J·A·肯尼

申请人：

申请人地址：

美国加利福尼亚州

IPC主分类号：

H01J3732

IPC分类号：

H01L21683

代理机构：

上海专利商标事务所有限公司 31100

代理人：

侯颖媖;张鑫

法律状态：

授权

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法律状态

法律状态公告日	法律状态	法律状态信息
2020-06-09	授权	授权

共 50 条

[1]

减少聚合物沉积的设备和方法 [P].

A·恩古耶 ;

X·常 ;

S·劳夫 ;

J·A·肯尼 .

美国专利 :CN111293026B ,2025-08-05

[2]

减少聚合物沉积的设备和方法 [P].

A·恩古耶 ;

X·常 ;

S·劳夫 ;

J·A·肯尼 .

中国专利 :CN111293026A ,2020-06-16

[3]

具有减少基片上聚合物沉积部件的等离子体装置以及减少聚合物沉积的方法 [P].

J·东 ;

E·H·伦兹 .

中国专利 :CN100351989C ,2005-10-12

[4]

具有减少基片上聚合物沉积部件的等离子体装置以及减少聚合物沉积的方法 [P].

J·东 ;

E·H·伦兹 .

中国专利 :CN100533658C ,2008-03-05

[5]

导电聚合物的沉积 [P].

R·古普塔 ;

A·英格尔 ;

S·纳塔拉彦 .

中国专利 :CN1926698B ,2007-03-07

[6]

防止/减少基片背面聚合物沉积的方法和装置 [P].

倪图强 ;

尹志尧 .

中国专利 :CN101477945B ,2009-07-08

[7]

减少晶圆边缘聚合物沉积的刻蚀控制方法 [P].

陈宏 ;

许昕睿 ;

方伟 ;

殷冠华 .

中国专利 :CN103456623A ,2013-12-18

[8]

具有沉积聚合物的聚合物壳微囊 [P].

P·弗古森 ;

C·C·琼斯 .

中国专利 :CN107567490A ,2018-01-09

[9]

具有减少聚合物沉积特性的等离子约束环组件 [P].

R·丁德萨 ;

F·科扎克维奇 ;

J·H·罗杰斯 ;

D·特拉塞尔 .

中国专利 :CN101495670B ,2009-07-29

[10]

可自沉积聚合物的电沉积 [P].

B·M·阿梅德 ;

S·N·马内什 ;

S·E·多兰 ;

B·马文 ;

J·D·麦吉 ;

O·L·阿布-沙纳布 ;

D·A·希基 .

中国专利 :CN105051125A ,2015-11-11

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