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防止/减少基片背面聚合物沉积的方法和装置

被引：0
专利类型：
发明
申请号：
CN200810205091.7
申请日：
2008-12-30
公开(公告)号：
CN101477945B
公开(公告)日：
2009-07-08
发明(设计)人：
倪图强 尹志尧
申请人：
申请人地址：
201201 上海市浦东金桥出口加工区(南区)泰华路188号
IPC主分类号：
H01L2100
IPC分类号：
H01L21311
代理机构：
上海智信专利代理有限公司 31002
代理人：
王洁;郑暄
法律状态：
专利权质押合同登记的生效、变更及注销
国省代码：
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法律状态
法律状态公告日 法律状态 法律状态信息
2017-09-05 专利权质押合同登记的生效、变更及注销 专利权质押合同登记的注销 号牌文件类型代码:1602 号牌文件序号:101758727363 IPC(主分类):H01L 21/00 授权公告日:20110119 申请日:20081230 专利号:ZL2008102050917 登记号:2009310000663 出质人:中微半导体设备(上海)有限公司 质权人:国家开发银行股份有限公司 解除日:20170809
2019-04-12 专利权人的姓名或者名称、地址的变更 专利权人的姓名或者名称、地址的变更 IPC(主分类):H01L 21/00 变更事项:专利权人 变更前:中微半导体设备(上海)有限公司 变更后:中微半导体设备（上海）股份有限公司 变更事项:地址 变更前:201201 上海市浦东金桥出口加工区(南区)泰华路188号 变更后:201201 上海市浦东新区金桥出口加工区（南区）泰华路188号
2015-04-22 专利权质押合同登记的生效、变更及注销 专利权质押合同登记的生效 发明名称:防止/减少基片背面聚合物沉积的方法和装置 申请日:20081230 授权公告日:20110119 号牌文件类型代码:1602 号牌文件序号:101712123041 IPC(主分类):H01L 21/00 专利号:ZL2008102050917 登记号:2009310000663 登记生效日:20150202 出质人:中微半导体设备(上海)有限公司 质权人:国家开发银行股份有限公司
2009-07-08 公开 公开
2011-01-19 授权 授权
2009-09-02 实质审查的生效 实质审查的生效
共 50 条
[1]
具有减少基片上聚合物沉积部件的等离子体装置以及减少聚合物沉积的方法 [P]. 
J·东 ;
E·H·伦兹 .
中国专利 :CN100351989C ,2005-10-12
[2]
具有减少基片上聚合物沉积部件的等离子体装置以及减少聚合物沉积的方法 [P]. 
J·东 ;
E·H·伦兹 .
中国专利 :CN100533658C ,2008-03-05
[3]
一种用于减少基片背面聚合物的装置 [P]. 
倪图强 ;
徐朝阳 ;
吴狄 ;
陈妙娟 .
中国专利 :CN101989543B ,2011-03-23
[4]
减少聚合物沉积的设备和方法 [P]. 
A·恩古耶 ;
X·常 ;
S·劳夫 ;
J·A·肯尼 .
美国专利 :CN111293026B ,2025-08-05
[5]
减少聚合物沉积的设备和方法 [P]. 
A·恩古耶 ;
X·常 ;
S·劳夫 ;
J·A·肯尼 .
中国专利 :CN111293026A ,2020-06-16
[6]
一种可减少基片背面聚合物的结构 [P]. 
倪图强 ;
孟双 ;
徐朝阳 .
中国专利 :CN101989544B ,2011-03-23
[7]
减少聚合物沉积的设备 [P]. 
A·恩古耶 ;
X·常 ;
S·劳夫 ;
J·A·肯尼 .
中国专利 :CN210722949U ,2020-06-09
[8]
防止聚合物结垢沉积的方法 [P]. 
上野進 ;
金子一郎 ;
渡边幹雄 .
中国专利 :CN1045398A ,1990-09-19
[9]
防止聚合物结垢沉积的方法 [P]. 
上野进 ;
金子一郎 ;
渡边幹雄 .
中国专利 :CN1047301A ,1990-11-28
[10]
降低聚合物沉积的方法和装置 [P]. 
T·D·谢弗 ;
M·F·麦克唐纳 ;
D·Y·钟 ;
R·N·韦布 ;
D·J·戴维斯 ;
P·J·赖特 .
中国专利 :CN101641375B ,2010-02-03
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