一种用于减少基片背面聚合物的装置

被引:0
专利类型
发明
申请号
CN200910056086.9
申请日
2009-08-07
公开(公告)号
CN101989543B
公开(公告)日
2011-03-23
发明(设计)人
倪图强 徐朝阳 吴狄 陈妙娟
申请人
申请人地址
201201 上海市浦东金桥出口加工区(南区)泰华路188号
IPC主分类号
H01L213065
IPC分类号
C30B3312
代理机构
上海信好专利代理事务所(普通合伙) 31249
代理人
朱九皋
法律状态
公开
国省代码
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共 50 条
[1]
一种可减少基片背面聚合物的结构 [P]. 
倪图强 ;
孟双 ;
徐朝阳 .
中国专利 :CN101989544B ,2011-03-23
[2]
防止/减少基片背面聚合物沉积的方法和装置 [P]. 
倪图强 ;
尹志尧 .
中国专利 :CN101477945B ,2009-07-08
[3]
一种减少晶片背面生成聚合物的聚焦环 [P]. 
吴紫阳 ;
邱达燕 .
中国专利 :CN103187232B ,2013-07-03
[4]
具有减少基片上聚合物沉积部件的等离子体装置以及减少聚合物沉积的方法 [P]. 
J·东 ;
E·H·伦兹 .
中国专利 :CN100351989C ,2005-10-12
[5]
具有减少基片上聚合物沉积部件的等离子体装置以及减少聚合物沉积的方法 [P]. 
J·东 ;
E·H·伦兹 .
中国专利 :CN100533658C ,2008-03-05
[6]
用于斜面聚合物减少的边缘环 [P]. 
R·米什拉 ;
G·J·斯科特 ;
K·M·西拉朱迪茵 ;
S·L·图西巴格威尔 ;
S·西卢纳乌卡拉苏 .
中国专利 :CN106057616A ,2016-10-26
[7]
用于斜面聚合物减少的边缘环 [P]. 
R·米什拉 ;
G·J·斯科特 ;
K·M·西拉朱迪茵 ;
S·L·图西巴格威尔 ;
S·西卢纳乌卡拉苏 .
中国专利 :CN205984889U ,2017-02-22
[8]
一种清洁晶片背面聚合物的装置和方法 [P]. 
吴紫阳 ;
邱达燕 ;
万磊 ;
彭帆 .
中国专利 :CN103165494A ,2013-06-19
[9]
用于从基片上去除边缘聚合物的装置 [P]. 
衡石·亚历山大·尹 ;
金允尚 ;
贾森·A·赖德 ;
安德鲁·D·贝利三世 .
中国专利 :CN101273439B ,2008-09-24
[10]
减少聚合物沉积的设备 [P]. 
A·恩古耶 ;
X·常 ;
S·劳夫 ;
J·A·肯尼 .
中国专利 :CN210722949U ,2020-06-09