一种减少晶片背面生成聚合物的聚焦环

被引：0

专利类型：

发明

申请号：

CN201110448622.7

申请日：

2011-12-28

公开(公告)号：

CN103187232B

公开(公告)日：

2013-07-03

发明(设计)人：

吴紫阳邱达燕

申请人：

申请人地址：

201201 上海市浦东新区金桥出口加工区（南区）泰华路188号

IPC主分类号：

H01J3732

IPC分类号：

H01L2102

代理机构：

上海智信专利代理有限公司 31002

代理人：

王洁

法律状态：

公开

国省代码：

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法律状态

法律状态公告日	法律状态	法律状态信息
2013-07-03	公开	公开
2019-04-05	专利权人的姓名或者名称、地址的变更	专利权人的姓名或者名称、地址的变更 IPC(主分类):H01J 37/32 变更事项:专利权人变更前:中微半导体设备（上海）有限公司变更后:中微半导体设备（上海）股份有限公司变更事项:地址变更前:201201 上海市浦东新区金桥出口加工区（南区）泰华路188号变更后:201201 上海市浦东新区金桥出口加工区（南区）泰华路188号
2013-07-31	实质审查的生效	实质审查的生效号牌文件类型代码:1604 号牌文件序号:101499123705 IPC(主分类):H01J 37/32 专利申请号:2011104486227 申请日:20111228
2015-09-16	授权	授权

共 50 条

[1]

一种可减少基片背面聚合物的结构 [P].

倪图强 ;

孟双 ;

徐朝阳 .

中国专利 :CN101989544B ,2011-03-23

[2]

一种用于减少基片背面聚合物的装置 [P].

倪图强 ;

徐朝阳 ;

吴狄 ;

陈妙娟 .

中国专利 :CN101989543B ,2011-03-23

[3]

一种清洁晶片背面聚合物的装置和方法 [P].

吴紫阳 ;

邱达燕 ;

万磊 ;

彭帆 .

中国专利 :CN103165494A ,2013-06-19

[4]

用于斜面聚合物减少的边缘环 [P].

R·米什拉 ;

G·J·斯科特 ;

K·M·西拉朱迪茵 ;

S·L·图西巴格威尔 ;

S·西卢纳乌卡拉苏 .

中国专利 :CN106057616A ,2016-10-26

[5]

用于斜面聚合物减少的边缘环 [P].

R·米什拉 ;

G·J·斯科特 ;

K·M·西拉朱迪茵 ;

S·L·图西巴格威尔 ;

S·西卢纳乌卡拉苏 .

中国专利 :CN205984889U ,2017-02-22

[6]

用于从晶片背面及边缘移除聚合物的方法及设备 [P].

伊玛德·尤瑟夫 ;

安克·舍内尔 ;

阿吉特·巴拉克利斯纳 ;

南希·凡格 ;

英·瑞 ;

马丁·杰弗瑞·萨利纳斯 ;

沃特·R·梅丽 ;

沙希德·劳夫 .

中国专利 :CN101897007A ,2010-11-24

[7]

防止/减少基片背面聚合物沉积的方法和装置 [P].

倪图强 ;

尹志尧 .

中国专利 :CN101477945B ,2009-07-08

[8]

减少聚合物沉积的设备 [P].

A·恩古耶 ;

X·常 ;

S·劳夫 ;

J·A·肯尼 .

中国专利 :CN210722949U ,2020-06-09

[9]

一种环烯烃聚合物的氢化方法及氢化环烯烃聚合物 [P].

周梦强 ;

陈二中 ;

潘亮 ;

曾伟 ;

王磊 .

中国专利 :CN119708297B ,2025-11-11

[10]

一种环烯烃聚合物的氢化方法及氢化环烯烃聚合物 [P].

周梦强 ;

陈二中 ;

潘亮 ;

曾伟 ;

王磊 .

中国专利 :CN119708297A ,2025-03-28

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