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方向可调的均匀磁场和均匀一阶梯度磁场的方法及装置
被引:0
专利类型
:
发明
申请号
:
CN201310195809.X
申请日
:
2013-05-23
公开(公告)号
:
CN103245928A
公开(公告)日
:
2013-08-14
发明(设计)人
:
王会武
荣亮亮
邱隆清
伍俊
常凯
徐婷
侍文
蒋坤
谢晓明
申请人
:
申请人地址
:
200050 上海市长宁区长宁路865号
IPC主分类号
:
G01R3500
IPC分类号
:
代理机构
:
上海智信专利代理有限公司 31002
代理人
:
潘振甦
法律状态
:
授权
国省代码
:
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法律状态
法律状态公告日
法律状态
法律状态信息
2015-09-16
授权
授权
2013-08-14
公开
公开
2013-09-11
实质审查的生效
实质审查的生效 号牌文件类型代码:1604 号牌文件序号:101517151624 IPC(主分类):G01R 35/00 专利申请号:201310195809X 申请日:20130523
共 50 条
[1]
一种均匀磁场发生装置及均匀磁场产生方法
[P].
论文数:
引用数:
h-index:
机构:
王国强
.
中国专利
:CN117747237A
,2024-03-22
[2]
一种方向可控的均匀磁场装置
[P].
赵勇
论文数:
0
引用数:
0
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0
赵勇
;
钱俊凯
论文数:
0
引用数:
0
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0
钱俊凯
;
吕日清
论文数:
0
引用数:
0
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0
吕日清
.
中国专利
:CN108983120A
,2018-12-11
[3]
磁场均匀度调整方法以及磁场均匀度调整装置
[P].
榊原健二
论文数:
0
引用数:
0
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0
榊原健二
;
藤川拓也
论文数:
0
引用数:
0
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0
藤川拓也
;
阿部充志
论文数:
0
引用数:
0
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0
阿部充志
;
花田光
论文数:
0
引用数:
0
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0
花田光
.
中国专利
:CN107205689B
,2017-09-26
[4]
磁场均匀化方法和装置以及磁场发生装置
[P].
后藤隆男
论文数:
0
引用数:
0
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0
后藤隆男
.
中国专利
:CN1303625C
,2004-04-14
[5]
一种磁场方向和梯度方向夹角可调的二维梯度磁场系统
[P].
翟晶晶
论文数:
0
引用数:
0
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0
翟晶晶
;
李享
论文数:
0
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0
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0
李享
;
张海波
论文数:
0
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0
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0
张海波
;
孟诚
论文数:
0
引用数:
0
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0
孟诚
.
中国专利
:CN111060862B
,2020-04-24
[6]
一种磁场线圈径向磁场均匀度的补偿方法
[P].
李享
论文数:
0
引用数:
0
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0
机构:
宜昌测试技术研究所
宜昌测试技术研究所
李享
;
张学斌
论文数:
0
引用数:
0
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0
机构:
宜昌测试技术研究所
宜昌测试技术研究所
张学斌
;
刘扬帆
论文数:
0
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0
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0
机构:
宜昌测试技术研究所
宜昌测试技术研究所
刘扬帆
;
程华富
论文数:
0
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0
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0
机构:
宜昌测试技术研究所
宜昌测试技术研究所
程华富
;
罗慧
论文数:
0
引用数:
0
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机构:
宜昌测试技术研究所
宜昌测试技术研究所
罗慧
.
中国专利
:CN120314843A
,2025-07-15
[7]
一种可调节磁场强度和方向的磁场发生装置
[P].
邓玉梅
论文数:
0
引用数:
0
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0
邓玉梅
;
余东辉
论文数:
0
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0
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0
余东辉
;
李好
论文数:
0
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0
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0
李好
;
周水强
论文数:
0
引用数:
0
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0
周水强
.
中国专利
:CN206991865U
,2018-02-09
[8]
磁通密度连续可调均匀轴向磁场的产生装置及该装置产生连续可调均匀轴向磁场方法
[P].
江滨浩
论文数:
0
引用数:
0
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0
江滨浩
;
王振宇
论文数:
0
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0
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0
王振宇
;
王春生
论文数:
0
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0
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0
王春生
;
张仲麟
论文数:
0
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0
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0
张仲麟
;
高啸天
论文数:
0
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0
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0
高啸天
;
李传雨
论文数:
0
引用数:
0
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0
李传雨
.
中国专利
:CN103943304A
,2014-07-23
[9]
静磁场均匀度调整方法、静磁场均匀度调整装置以及计算机
[P].
藤川拓也
论文数:
0
引用数:
0
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0
藤川拓也
;
阿部充志
论文数:
0
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0
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0
阿部充志
;
榊原健二
论文数:
0
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0
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0
榊原健二
;
花田光
论文数:
0
引用数:
0
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0
花田光
.
中国专利
:CN107205687B
,2017-09-26
[10]
产生均匀磁场和四极磁场的复合线圈及其制备方法
[P].
论文数:
引用数:
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机构:
梁昂昂
;
论文数:
引用数:
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机构:
周蜀渝
;
论文数:
引用数:
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机构:
谢昱
;
论文数:
引用数:
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机构:
汪斌
;
论文数:
引用数:
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机构:
刘亮
.
中国专利
:CN113744949B
,2024-04-12
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