半导体发光元件

被引：0

专利类型：

发明

申请号：

CN201511012848.7

申请日：

2015-12-31

公开(公告)号：

CN105428479A

公开(公告)日：

2016-03-23

发明(设计)人：

江汉蓝永凌黄文宾林兓兓张家宏

申请人：

申请人地址：

241000 安徽省芜湖市经济技术开发区东梁路8号

IPC主分类号：

H01L3306

IPC分类号：

H01L3314 H01L3300

代理机构：

代理人：

法律状态：

实质审查的生效

国省代码：

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法律状态

法律状态公告日	法律状态	法律状态信息
2016-04-20	实质审查的生效	实质审查的生效号牌文件类型代码:1604 号牌文件序号:101656303308 IPC(主分类):H01L 33/06 专利申请号:2015110128487 申请日:20151231
2016-03-23	公开	公开
2017-10-20	授权	授权

共 50 条

[1]

半导体发光元件 [P].

高默然 ;

李森林 ;

丘金金 ;

董雪振 .

中国专利 :CN222639008U ,2025-03-18

[2]

半导体发光元件 [P].

高默然 ;

李森林 ;

丘金金 ;

董雪振 .

中国专利 :CN221239642U ,2024-06-28

[3]

氮化物半导体发光元件 [P].

和田贡 ;

松仓勇介 ;

古泽优太 .

中国专利 :CN111527612A ,2020-08-11

[4]

半导体发光元件 [P].

毕京锋 ;

范伟宏 ;

高默然 ;

邬元杰 ;

张成军 ;

曾家明 .

中国专利 :CN113097359B ,2021-07-09

[5]

氮化物半导体发光元件和氮化物半导体发光元件的制造方法 [P].

希利尔·贝诺 ;

松仓勇介 ;

古泽优太 ;

和田贡 .

中国专利 :CN111052411A ,2020-04-21

[6]

氮化物半导体发光元件和氮化物半导体发光元件的制造方法 [P].

古泽优太 ;

和田贡 ;

松仓勇介 ;

希利尔·贝诺 .

中国专利 :CN111095579A ,2020-05-01

[7]

氮化物半导体发光元件和氮化物半导体发光元件的制造方法 [P].

古泽优太 ;

和田贡 ;

松仓勇介 ;

希利尔·贝诺 .

中国专利 :CN111066161A ,2020-04-24

[8]

半导体发光元件、发光装置 [P].

楠木克辉 ;

佐藤寿朗 .

中国专利 :CN103594577A ,2014-02-19

[9]

半导体发光元件、发光装置 [P].

楠木克辉 ;

佐藤寿朗 .

中国专利 :CN103730551A ,2014-04-16

[10]

半导体基板、半导体元件、发光元件以及电子元件 [P].

藤冈洋 .

中国专利 :CN101952984A ,2011-01-19

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