一种平面型忆阻器及其制备方法

被引：0

专利类型：

发明

申请号：

CN201911206904.9

申请日：

2019-11-29

公开(公告)号：

CN110911560B

公开(公告)日：

2020-03-24

发明(设计)人：

徐明刘龙杨哲缪向水

申请人：

申请人地址：

430074 湖北省武汉市洪山区珞喻路1037号

IPC主分类号：

H01L4500

IPC分类号：

代理机构：

华中科技大学专利中心 42201

代理人：

李智

法律状态：

实质审查的生效

国省代码：

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法律状态

法律状态公告日	法律状态	法律状态信息
2020-04-17	实质审查的生效	实质审查的生效 IPC(主分类):H01L 45/00 申请日:20191129
2020-03-24	公开	公开
2021-10-08	授权	授权

共 50 条

[1]

一种忆阻器及其制备方法 [P].

宫建茹 ;

王永志 ;

尹彬沣 ;

郭北斗 .

中国专利 :CN111883656A ,2020-11-03

[2]

一种忆阻器及其制备方法 [P].

宫建茹 ;

王永志 ;

尹彬沣 ;

郭北斗 .

中国专利 :CN111883656B ,2025-01-10

[3]

一种界面型原子忆阻器及其制备方法 [P].

徐明 ;

刘龙 ;

杨哲 ;

缪向水 .

中国专利 :CN111029459B ,2020-04-17

[4]

一种多端平面型神经形态忆阻器及其制备方法 [P].

王天宇 ;

孟佳琳 ;

陈琳 ;

孙清清 ;

张卫 .

中国专利 :CN114005934A ,2022-02-01

[5]

一种多端平面型神经形态忆阻器及其制备方法 [P].

王天宇 ;

孟佳琳 ;

陈琳 ;

孙清清 ;

张卫 .

中国专利 :CN114005934B ,2025-09-02

[6]

一种忆阻器及其制备方法和应用 [P].

潘金艳 ;

李静 ;

黄巧 ;

高云龙 ;

李铁军 ;

谢伦博 ;

王祯平 ;

钟莹莹 .

中国专利 :CN117545282A ,2024-02-09

[7]

一种界面型忆阻器及其制备方法和应用 [P].

葛军 ;

曹栩诚 ;

刘宇卿 ;

马泽霖 ;

郑紫萍 .

中国专利 :CN118076219A ,2024-05-24

[8]

基于纳流体界面型忆阻器的互补型结构突触器件及其制备 [P].

缪向水 ;

何毓辉 ;

陈可欣 .

中国专利 :CN111106239A ,2020-05-05

[9]

一种全范德华界面拓扑相变忆阻器及其制备方法 [P].

程伟明 ;

苏睿 ;

张润青 ;

洪卓凡 ;

缪向水 .

中国专利 :CN117835809A ,2024-04-05

[10]

一种平面型的阻变存储器及其制备方法 [P].

韩素婷 ;

吕子玉 ;

周晔 ;

邢雪朝 ;

王燕 ;

翟永彪 .

中国专利 :CN113193112A ,2021-07-30

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