一种界面型原子忆阻器及其制备方法

被引：0

专利类型：

发明

申请号：

CN201911207174.4

申请日：

2019-11-29

公开(公告)号：

CN111029459B

公开(公告)日：

2020-04-17

发明(设计)人：

徐明刘龙杨哲缪向水

申请人：

申请人地址：

430074 湖北省武汉市洪山区珞喻路1037号

IPC主分类号：

H01L4500

IPC分类号：

代理机构：

华中科技大学专利中心 42201

代理人：

李智

法律状态：

公开

国省代码：

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法律状态

法律状态公告日	法律状态	法律状态信息
2020-04-17	公开	公开
2020-05-12	实质审查的生效	实质审查的生效 IPC(主分类):H01L 45/00 申请日:20191129
2022-06-14	授权	授权

共 50 条

[1]

一种基于二维原子晶体的耐高温忆阻器 [P].

缪峰 ;

王淼 .

中国专利 :CN108365092A ,2018-08-03

[2]

一种界面型忆阻器及其制备方法和应用 [P].

葛军 ;

曹栩诚 ;

刘宇卿 ;

马泽霖 ;

郑紫萍 .

中国专利 :CN118076219A ,2024-05-24

[3]

一种平面型忆阻器及其制备方法 [P].

徐明 ;

刘龙 ;

杨哲 ;

缪向水 .

中国专利 :CN110911560B ,2020-03-24

[4]

一种基于相变原理的忆阻器及其制备方法 [P].

徐明 ;

王俊钦 ;

缪向水 .

中国专利 :CN113206193A ,2021-08-03

[5]

一种引线忆阻器及其制备方法 [P].

周济 ;

蔡坤鹏 ;

李勃 ;

李龙土 .

中国专利 :CN102931348A ,2013-02-13

[6]

一种片式忆阻器及其制备方法 [P].

周济 ;

蔡坤鹏 ;

李勃 ;

李龙土 .

中国专利 :CN102931349A ,2013-02-13

[7]

忆阻器及其制备方法 [P].

罗先刚 ;

周云霞 ;

李雄 .

中国专利 :CN120693056A ,2025-09-23

[8]

忆阻器及其制备方法 [P].

何南 ;

堵大为 ;

童祎 .

中国专利 :CN111900249A ,2020-11-06

[9]

一种忆阻器及其制备方法 [P].

俞景豪 ;

刘晓艳 ;

华传洋 ;

王正 ;

叶鹏飞 ;

王磊 ;

童祎 .

中国专利 :CN113725357A ,2021-11-30

[10]

一种忆阻器及其制备方法 [P].

宫建茹 ;

王永志 ;

尹彬沣 ;

郭北斗 .

中国专利 :CN111883656A ,2020-11-03

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