一种基于二维原子晶体的耐高温忆阻器

被引：0

专利类型：

发明

申请号：

CN201810050297.0

申请日：

2018-01-18

公开(公告)号：

CN108365092A

公开(公告)日：

2018-08-03

发明(设计)人：

缪峰王淼

申请人：

申请人地址：

210093 江苏省南京市鼓楼区汉口路22号

IPC主分类号：

H01L4500

IPC分类号：

代理机构：

南京瑞弘专利商标事务所(普通合伙) 32249

代理人：

陈建和

法律状态：

实质审查的生效

国省代码：

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法律状态

法律状态公告日	法律状态	法律状态信息
2018-08-28	实质审查的生效	实质审查的生效 IPC(主分类):H01L 45/00 申请日:20180118
2020-06-16	授权	授权
2018-08-03	公开	公开

共 50 条

[1]

一种界面型原子忆阻器及其制备方法 [P].

徐明 ;

刘龙 ;

杨哲 ;

缪向水 .

中国专利 :CN111029459B ,2020-04-17

[2]

一种基于原位氧化的二维忆阻器及其制备方法 [P].

王天宇 ;

孟佳琳 ;

陈琳 ;

孙清清 ;

张卫 .

中国专利 :CN113964268A ,2022-01-21

[3]

一种基于二维材料MXene的忆阻器阵列的制备方法 [P].

何南 ;

王钰琪 ;

王宇 ;

童祎 ;

贺林 ;

连晓娟 ;

万相 .

中国专利 :CN110176537A ,2019-08-27

[4]

二维忆阻器及其制备方法 [P].

刘锴 ;

赵铂琛 .

中国专利 :CN119968108A ,2025-05-09

[5]

一种基于二维材料的异质结忆阻器及其制备方法 [P].

孙堂友 ;

谭振强 ;

李建华 ;

李海鸥 ;

陈赞辉 ;

邓兴 ;

张法碧 .

中国专利 :CN119744114A ,2025-04-01

[6]

一种基于二维材料面内各向异性的表面型忆阻集成器件 [P].

徐明 ;

杨子嫣 ;

王欢 ;

缪向水 .

中国专利 :CN113921708A ,2022-01-11

[7]

一种基于二维材料面内各向异性的表面型忆阻集成器件 [P].

徐明 ;

杨子嫣 ;

王欢 ;

缪向水 .

中国专利 :CN113921708B ,2024-05-14

[8]

一种基于二维过渡金属材料的忆阻器及其制备方法 [P].

陈欣彤 ;

申达琦 ;

王宇 ;

童祎 ;

连晓娟 ;

万相 .

中国专利 :CN111900250A ,2020-11-06

[9]

一种基于相变原理的忆阻器及其制备方法 [P].

徐明 ;

王俊钦 ;

缪向水 .

中国专利 :CN113206193A ,2021-08-03

[10]

一种二维材料异质结的忆阻器及其制备方法 [P].

熊伟 ;

张文广 ;

邓磊敏 ;

刘敬伟 ;

吴昊 ;

段军 .

中国专利 :CN110518117A ,2019-11-29

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