一种MXene/银纳米线复合电磁屏蔽膜

被引：0

专利类型：

发明

申请号：

CN201911420173.8

申请日：

2019-12-31

公开(公告)号：

CN111132533B

公开(公告)日：

2020-05-08

发明(设计)人：

叶萃殷宏宇潘军张旺彭永武

申请人：

申请人地址：

310014 浙江省杭州市下城区潮王路18号

IPC主分类号：

H05K900

IPC分类号：

B22F100

代理机构：

杭州天正专利事务所有限公司 33201

代理人：

黄美娟;俞慧

法律状态：

授权

国省代码：

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法律状态

法律状态公告日	法律状态	法律状态信息
2021-07-13	授权	授权
2020-05-08	公开	公开
2020-06-02	实质审查的生效	实质审查的生效 IPC(主分类):H05K 9/00 申请日:20191231

共 50 条

[1]

一种高电导率MXene/银纳米线复合电磁屏蔽膜的制备方法 [P].

叶萃 ;

周艺敏 ;

殷宏宇 ;

王敏强 .

中国专利 :CN113382621A ,2021-09-10

[2]

一种银纳米线透明电磁屏蔽膜及制备工艺 [P].

甘李 ;

王帅 ;

向俊桥 ;

周明 .

中国专利 :CN118765104A ,2024-10-11

[3]

一种银纳米线电磁屏蔽膜及其制备方法 [P].

高彦峰 .

中国专利 :CN110648801A ,2020-01-03

[4]

一种复合纳米线交错连通电磁屏蔽膜及制备工艺 [P].

甘李 ;

王帅 ;

唐波 ;

胡典勤 ;

张凯雯 .

中国专利 :CN115942729B ,2025-08-29

[5]

一种MXene/银纳米线/纳米纤维素复合薄膜及其制备方法 [P].

刘毅 ;

王蓓蓓 ;

孙璟萌 ;

赵俊淇 ;

张伟业 ;

李彦辰 ;

郭洪武 .

中国专利 :CN113087972A ,2021-07-09

[6]

磁控可重构的银纳米线电磁屏蔽膜及制备方法 [P].

魏葳 ;

南泽 ;

张宇曦 ;

张凡 ;

常晶晶 ;

林珍华 ;

苏杰 ;

胡赵胜 ;

张苗 ;

郝跃 .

中国专利 :CN113993366A ,2022-01-28

[7]

一种纳米纤维素/MXene/银纳米线“三明治”结构复合薄膜及其制备方法 [P].

王蓓蓓 ;

刘毅 ;

张伟业 ;

赵俊淇 ;

孙璟萌 ;

李彦辰 ;

郭洪武 .

中国专利 :CN113072725A ,2021-07-06

[8]

一种银纳米线制备的超低电阻电磁屏蔽涂料 [P].

杨姗 ;

龚威 ;

彭忠兴 .

中国专利 :CN117604779A ,2024-02-27

[9]

一种CNF/MXene-银纳米线复合薄膜的制备方法 [P].

任鹏刚 ;

张付东 ;

郭铮铮 ;

任芳 .

中国专利 :CN113004556A ,2021-06-22

[10]

一种制备银纳米线以及银纳米线薄膜的方法 [P].

王耀斌 .

中国专利 :CN106513702A ,2017-03-22

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