具有硅胶保护层的半导体发光器件

被引：0

专利类型：

发明

申请号：

CN200880130740.X

申请日：

2008-08-19

公开(公告)号：

CN102067337A

公开(公告)日：

2011-05-18

发明(设计)人：

江风益刘军林王立

申请人：

申请人地址：

330029 中国江西省南昌市高新开发区艾溪湖北路699号

IPC主分类号：

H01L3300

IPC分类号：

代理机构：

代理人：

法律状态：

发明专利申请公布后的驳回

国省代码：

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法律状态

法律状态公告日	法律状态	法律状态信息
2015-04-29	发明专利申请公布后的驳回	发明专利申请公布后的驳回号牌文件类型代码:1602 号牌文件序号:101714361956 IPC(主分类):H01L 33/00 专利申请号:200880130740X 申请公布日:20110518
2011-08-31	实质审查的生效	实质审查的生效号牌文件类型代码:1604 号牌文件序号:101099507918 IPC(主分类):H01L 33/00 专利申请号:200880130740X 申请日:20080819
2011-05-18	公开	公开

共 50 条

[1]

具有钝化层的半导体发光器件 [P].

江风益 ;

刘军林 ;

王立 .

中国专利 :CN102067346A ,2011-05-18

[2]

具有双面钝化的半导体发光器件 [P].

江风益 ;

刘军林 ;

王立 .

中国专利 :CN102017193A ,2011-04-13

[3]

半导体发光器件和具有半导体发光器件的半导体发光设备 [P].

沈载仁 ;

宋尚烨 ;

河宗勋 ;

金起范 ;

崔丞佑 .

中国专利 :CN105633257B ,2016-06-01

[4]

具有厚金属层的半导体发光器件 [P].

S.施亚夫菲诺 ;

A.H.尼克伊尔 ;

J.勒 .

中国专利 :CN111509116A ,2020-08-07

[5]

具有厚金属层的半导体发光器件 [P].

S.施亚夫菲诺 ;

A.H.尼克伊尔 ;

J.勒 .

中国专利 :CN103959486A ,2014-07-30

[6]

具有保护层的半导体发光元件 [P].

姚久琳 ;

吕志强 .

中国专利 :CN102130261A ,2011-07-20

[7]

具有保护层的半导体发光元件 [P].

姚久琳 ;

吕志强 .

中国专利 :CN104064636A ,2014-09-24

[8]

具有在p-型层内钝化的半导体发光器件 [P].

江风益 ;

汤英文 ;

莫春兰 ;

王立 .

中国专利 :CN102067340B ,2011-05-18

[9]

半导体发光器件及具有该半导体发光器件的发光器件封装 [P].

朴炯兆 .

中国专利 :CN101771125A ,2010-07-07

[10]

具有金属反射层的半导体发光器件 [P].

王冬雷 ;

廖汉忠 .

中国专利 :CN203659930U ,2014-06-18

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