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一种高质量SiC单晶制备装置
被引：0
专利类型：
实用新型
申请号：
CN202120642419.2
申请日：
2021-03-30
公开(公告)号：
CN214458450U
公开(公告)日：
2021-10-22
发明(设计)人：
不公告发明人
申请人：
申请人地址：
150000 黑龙江省哈尔滨市高新技术产业开发区哈工大沿海创意科技港及物联网技术研发中心16号楼（创新路1616号）302-2室
IPC主分类号：
C30B2936
IPC分类号：
C30B2300
代理机构：
哈尔滨市伟晨专利代理事务所(普通合伙) 23209
代理人：
陈润明
法律状态：
授权
国省代码：
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法律状态
| 法律状态公告日 | 法律状态 | 法律状态信息 |
| 2021-10-22 | 授权 | 授权 |