一种高质量SiC单晶制备装置及方法

被引：0

专利类型：

发明

申请号：

CN202110249485.8

申请日：

2021-03-08

公开(公告)号：

CN112779596A

公开(公告)日：

2021-05-11

发明(设计)人：

不公告发明人

申请人：

申请人地址：

150000 黑龙江省哈尔滨市南岗区哈西大街与学府四道街交汇处第40栋-1-2层12号

IPC主分类号：

C30B2300

IPC分类号：

C30B2936

代理机构：

哈尔滨市伟晨专利代理事务所(普通合伙) 23209

代理人：

曹徐婷

法律状态：

实质审查的生效

国省代码：

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法律状态

法律状态公告日	法律状态	法律状态信息
2021-05-28	实质审查的生效	实质审查的生效 IPC(主分类):C30B 23/00 申请日:20210308
2021-05-11	公开	公开

共 50 条

[1]

一种高质量SiC单晶制备装置 [P].

不公告发明人 .

中国专利 :CN214361830U ,2021-10-08

[2]

一种高质量SiC单晶制备装置 [P].

不公告发明人 .

中国专利 :CN214458450U ,2021-10-22

[3]

一种生长高质量SiC单晶的装置及生长方法 [P].

不公告发明人 .

中国专利 :CN112981531A ,2021-06-18

[4]

一种高质量大直径SiC单晶的制备装置及方法 [P].

刘新辉 ;

杨昆 ;

张福生 ;

路亚娟 ;

牛晓龙 ;

尚远航 .

中国专利 :CN111793826A ,2020-10-20

[5]

一种高质量大直径SiC单晶的制备装置 [P].

刘新辉 ;

杨昆 ;

张福生 ;

路亚娟 ;

牛晓龙 ;

尚远航 .

中国专利 :CN212771047U ,2021-03-23

[6]

一种生长高质量SiC单晶的籽晶处理方法 [P].

李翠 ;

杨志民 ;

杨立文 ;

蒋秉轩 .

中国专利 :CN103160928A ,2013-06-19

[7]

一种高质量低电阻率的p型SiC单晶制备方法 [P].

陈秀芳 ;

谢雪健 ;

彭燕 ;

徐现刚 ;

胡小波 .

中国专利 :CN106894090B ,2017-06-27

[8]

一种用于获得高质量SiC单晶衬底表面的CMP组合物及制备方法 [P].

李俊锋 ;

魏莹 ;

孟汝浩 ;

徐明艳 ;

代克 ;

李雯 ;

任津池 .

中国专利 :CN119842323A ,2025-04-18

[9]

一种高质量单晶碳化硅及其制备方法 [P].

李霞 ;

高超 ;

梁晓亮 ;

宁秀秀 ;

孙元行 ;

宗艳民 .

中国专利 :CN109321981B ,2019-02-12

[10]

一种制备高质量单晶碳化硅的装置及其应用 [P].

李霞 ;

高超 ;

梁晓亮 ;

宁秀秀 ;

李长进 ;

宗艳民 .

中国专利 :CN109355705B ,2019-02-19

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