脉冲高能量密度等离子体用于材料表面处理的方法

被引：0

专利类型：

发明

申请号：

CN93107530.0

申请日：

1993-07-03

公开(公告)号：

CN1038262C

公开(公告)日：

1995-01-11

发明(设计)人：

杨思泽李兵吴成鲁伟刘赤子

申请人：

申请人地址：

100080北京市603信箱

IPC主分类号：

C23C1434

IPC分类号：

C23C836 H01J3734

代理机构：

代理人：

法律状态：

实质审查请求的生效

国省代码：

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法律状态

法律状态公告日	法律状态	法律状态信息
1996-04-03	实质审查请求的生效	实质审查请求的生效
1998-05-06	授权	授权
1995-01-11	公开	公开
2002-08-28	专利权的终止未缴年费专利权终止	专利权的终止未缴年费专利权终止

共 50 条

[1]

一种脉冲高能量密度等离子体的发生装置 [P].

杨思泽 ;

刘赤子 ;

刘元富 .

中国专利 :CN2671287Y ,2005-01-12

[2]

脉冲高能量密度等离子体辅助多源复合材料表面改性装置 [P].

杨思泽 .

中国专利 :CN201228282Y ,2009-04-29

[3]

一种用于材料表面处理的阵列式等离子体装置 [P].

赵妮 ;

常正实 .

中国专利 :CN111642051A ,2020-09-08

[4]

用于材料表面处理的低温等离子电源 [P].

王凌云 ;

刘宏伟 ;

李杰 ;

李喜 ;

章林文 ;

李洪涛 ;

王传伟 ;

袁建强 ;

姜苹 ;

马勋 ;

丁胜 .

中国专利 :CN203632569U ,2014-06-04

[5]

高能脉冲自旋等离子体射孔方法 [P].

刘永红 ;

孙强 ;

韩延聪 ;

刘鹏 ;

沈志萍 ;

武鑫磊 ;

赵莅龙 ;

李德格 .

中国专利 :CN113309495B ,2021-08-27

[6]

等离子体及化学法联用的材料表面改性的方法 [P].

胡桢 ;

宋忱昊 ;

黄玉东 ;

黎俊 .

中国专利 :CN105220448B ,2016-01-06

[7]

等离子体用电源装置、等离子体装置及等离子体用电源装置的控制方法 [P].

泷川慎二 .

中国专利 :CN111316761A ,2020-06-19

[8]

用于材料表面改性的等离子体浸没离子注入装置 [P].

汤宝寅 ;

王松雁 .

中国专利 :CN1150180A ,1997-05-21

[9]

脉冲等离子体处理方法及其设备 [P].

怀恩·L·约翰逊 ;

艾理克·斯特郎 .

中国专利 :CN1369021A ,2002-09-11

[10]

利用等离子体用于处理物体的装置 [P].

吉勒·包洪 ;

埃曼努埃尔·圭多蒂 ;

扬妮克·皮尤 ;

帕特里克·拉比松 ;

朱利安·里查德 ;

马尔科·塞格斯 ;

文森特·吉罗 .

中国专利 :CN104685605B ,2015-06-03

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