一种脉冲高能量密度等离子体的发生装置

被引:0
专利类型
实用新型
申请号
CN200320102779.5
申请日
2003-11-06
公开(公告)号
CN2671287Y
公开(公告)日
2005-01-12
发明(设计)人
杨思泽 刘赤子 刘元富
申请人
申请人地址
100080北京市海淀区中关村南三街8号
IPC主分类号
H05H134
IPC分类号
代理机构
北京泛华伟业知识产权代理有限公司
代理人
王凤华
法律状态
授权
国省代码
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共 50 条
[1]
脉冲高能量密度等离子体用于材料表面处理的方法 [P]. 
杨思泽 ;
李兵 ;
吴成 ;
鲁伟 ;
刘赤子 .
中国专利 :CN1038262C ,1995-01-11
[2]
脉冲高能量密度等离子体辅助多源复合材料表面改性装置 [P]. 
杨思泽 .
中国专利 :CN201228282Y ,2009-04-29
[3]
一种等离子体发生装置 [P]. 
程楷 ;
刘华均 ;
刘华刚 ;
林晟 ;
张建华 ;
柯辉 .
中国专利 :CN207150938U ,2018-03-27
[4]
等离子体发生装置 [P]. 
李海涛 .
中国专利 :CN211860639U ,2020-11-03
[5]
等离子体发生装置 [P]. 
叶燕峰 .
中国专利 :CN205041832U ,2016-02-24
[6]
等离子体发生装置 [P]. 
周卫云 ;
杨鑫 ;
周海山 ;
李宇 ;
慕香红 ;
罗广南 .
中国专利 :CN120358657A ,2025-07-22
[7]
等离子体发生装置 [P]. 
何艾华 ;
庞爱锁 ;
林佳继 ;
刘群 .
中国专利 :CN220528267U ,2024-02-23
[8]
等离子体发生装置 [P]. 
池户俊之 .
中国专利 :CN112753286A ,2021-05-04
[9]
等离子体发生装置 [P]. 
李衎 .
中国专利 :CN2867790Y ,2007-02-07
[10]
等离子体发生装置 [P]. 
肖德玲 ;
封宗瑜 ;
汪春节 ;
劳承云 ;
张述文 ;
罗汉兵 .
中国专利 :CN120812822A ,2025-10-17