一种制备化学计量比非晶GaAs薄膜材料的方法

被引：0

专利类型：

发明

申请号：

CN200910066822.9

申请日：

2009-04-15

公开(公告)号：

CN101643893A

公开(公告)日：

2010-02-10

发明(设计)人：

么艳平乔忠良薄报学高欣陈甫魏永平李梅王玉霞芦鹏李辉曲轶刘国军李占国

申请人：

申请人地址：

130022吉林省长春市朝阳区卫星路7186号

IPC主分类号：

C23C1435

IPC分类号：

C23C1406 C23C1458

代理机构：

代理人：

法律状态：

实质审查的生效

国省代码：

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法律状态

法律状态公告日	法律状态	法律状态信息
2010-04-14	实质审查的生效	实质审查的生效号牌文件类型代码:1604 号牌文件序号:101000898856 IPC(主分类):C23C 14/35 专利申请号:2009100668229 申请日:20090415
2011-07-27	发明专利申请公布后的视为撤回	发明专利申请公布后的视为撤回号牌文件类型代码:1603 号牌文件序号:101117497912 IPC(主分类):C23C 14/35 专利申请号:2009100668229 公开日:20100210
2010-02-10	公开	公开

共 50 条

[1]

一种组分可调非晶InAsxSb1-x薄膜材料的制备方法 [P].

么艳平 ;

乔忠良 ;

薄报学 ;

高欣 ;

陈甫 ;

魏永平 ;

李梅 ;

王玉霞 ;

芦鹏 ;

李辉 ;

曲轶 ;

刘国军 ;

李占国 .

中国专利 :CN101591770A ,2009-12-02

[2]

非化学计量比钙钛矿薄膜及其制备方法和应用 [P].

赵笑昆 ;

汤洋 .

中国专利 :CN110137361A ,2019-08-16

[3]

一种不含非化学计量比碳的碳化钼材料的制备方法 [P].

梁长海 ;

庞敏 ;

李闯 ;

郭小玲 ;

张明明 .

中国专利 :CN103204504B ,2013-07-17

[4]

含氧非化学计量比氮化钛材料的制备方法 [P].

邹芹 ;

李艳国 ;

王明智 ;

熊建超 ;

赵玉成 ;

罗文奇 ;

袁东方 ;

娄志超 .

中国专利 :CN110002880A ,2019-07-12

[5]

一种近化学计量比复合薄膜及其制备方法 [P].

胡文 ;

胡卉 ;

李真宇 ;

张秀全 ;

刘亚明 .

中国专利 :CN115207206B ,2022-12-06

[6]

一种高化学计量比的多晶WC薄膜及其低温制备方法 [P].

吕建国 ;

胡睿 .

中国专利 :CN108165941A ,2018-06-15

[7]

一种非化学计量比的热电材料及其制备方法和应用 [P].

宿太超 ;

何智芬 ;

朱红玉 ;

王涛 .

中国专利 :CN120957589A ,2025-11-14

[8]

一种制备GaAs薄膜材料的方法 [P].

刘兴泉 ;

张铭菊 .

中国专利 :CN103147038A ,2013-06-12

[9]

一种制备GaAs薄膜材料的方法 [P].

刘兴泉 ;

张铭菊 ;

刘一町 ;

何永成 .

中国专利 :CN103820771A ,2014-05-28

[10]

一种非化学计量比近红外发光材料及其制备方法 [P].

解荣军 ;

曾华涛 ;

周天亮 .

中国专利 :CN109810709B ,2019-05-28

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