一种高化学计量比的多晶WC薄膜及其低温制备方法

被引：0

专利类型：

发明

申请号：

CN201711434895.X

申请日：

2017-12-26

公开(公告)号：

CN108165941A

公开(公告)日：

2018-06-15

发明(设计)人：

吕建国胡睿

申请人：

申请人地址：

310058 浙江省杭州市西湖区余杭塘路866号

IPC主分类号：

C23C1435

IPC分类号：

C23C1406

代理机构：

杭州宇信知识产权代理事务所(普通合伙) 33231

代理人：

梁群兰

法律状态：

实质审查的生效

国省代码：

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法律状态

法律状态公告日	法律状态	法律状态信息
2018-07-13	实质审查的生效	实质审查的生效 IPC(主分类):C23C 14/35 申请日:20171226
2019-10-29	授权	授权
2018-06-15	公开	公开

共 50 条

[1]

一种透明导电WC晶态薄膜及其制备方法 [P].

吕建国 ;

胡睿 .

中国专利 :CN108130517B ,2018-06-08

[2]

一种近化学计量比复合薄膜及其制备方法 [P].

胡文 ;

胡卉 ;

李真宇 ;

张秀全 ;

刘亚明 .

中国专利 :CN115207206B ,2022-12-06

[3]

一种制备化学计量比非晶GaAs薄膜材料的方法 [P].

么艳平 ;

乔忠良 ;

薄报学 ;

高欣 ;

陈甫 ;

魏永平 ;

李梅 ;

王玉霞 ;

芦鹏 ;

李辉 ;

曲轶 ;

刘国军 ;

李占国 .

中国专利 :CN101643893A ,2010-02-10

[4]

一种WC硬质合金薄膜及其梯度层技术室温制备方法 [P].

吕建国 ;

胡睿 .

中国专利 :CN108149198B ,2018-06-12

[5]

一种实现稳定化学计量比的金属氧化物薄膜制备方法 [P].

张跃 ;

冉义师 ;

张铮 ;

张先坤 ;

李瑞山 ;

洪孟羽 ;

张彦哲 ;

刘一禾 ;

姜鹤 ;

曹志宏 ;

贾昊 ;

周燕 .

中国专利 :CN119615063B ,2025-12-09

[6]

一种实现稳定化学计量比的金属氧化物薄膜制备方法 [P].

张跃 ;

冉义师 ;

张铮 ;

张先坤 ;

李瑞山 ;

洪孟羽 ;

张彦哲 ;

刘一禾 ;

姜鹤 ;

曹志宏 ;

贾昊 ;

周燕 .

中国专利 :CN119615063A ,2025-03-14

[7]

一种多晶硅薄膜及其低温制备方法 [P].

郝亚非 ;

张若云 ;

井维科 ;

黄仕华 .

中国专利 :CN105506734A ,2016-04-20

[8]

一种等化学计量比三元氧化物薄膜的制备方法 [P].

汤振杰 .

中国专利 :CN111807408A ,2020-10-23

[9]

一种制造近化学计量比的单晶薄膜的方法 [P].

胡文 .

中国专利 :CN104862784B ,2015-08-26

[10]

非化学计量比钙钛矿薄膜及其制备方法和应用 [P].

赵笑昆 ;

汤洋 .

中国专利 :CN110137361A ,2019-08-16

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