一种多晶硅薄膜及其低温制备方法

被引：0

专利类型：

发明

申请号：

CN201510956884.2

申请日：

2015-12-18

公开(公告)号：

CN105506734A

公开(公告)日：

2016-04-20

发明(设计)人：

郝亚非张若云井维科黄仕华

申请人：

申请人地址：

321004 浙江省金华市迎宾大道688号

IPC主分类号：

C30B2802

IPC分类号：

C30B2906 C23C1416 C23C1434

代理机构：

北京轻创知识产权代理有限公司 11212

代理人：

乐珠秀

法律状态：

公开

国省代码：

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法律状态

法律状态公告日	法律状态	法律状态信息
2016-04-20	公开	公开
2016-05-18	实质审查的生效	实质审查的生效号牌文件类型代码:1604 号牌文件序号:101660914656 IPC(主分类):C30B 28/02 专利申请号:2015109568842 申请日:20151218
2018-07-03	发明专利申请公布后的视为撤回	发明专利申请公布后的视为撤回 IPC(主分类):C30B 28/02 申请公布日:20160420

共 50 条

[1]

低温多晶硅薄膜的制备方法、制备设备及低温多晶硅薄膜 [P].

张隆贤 ;

余威 .

中国专利 :CN104404617A ,2015-03-11

[2]

一种低温多晶硅薄膜的制备方法及低温多晶硅薄膜 [P].

田雪雁 ;

龙春平 ;

姚江峰 .

中国专利 :CN102651311B ,2012-08-29

[3]

低温多晶硅薄膜的制作方法、低温多晶硅薄膜及低温多晶硅TFT基板 [P].

张瑞军 ;

卢马才 ;

王松 .

中国专利 :CN108831894A ,2018-11-16

[4]

一种低温多晶硅薄膜及其制备方法 [P].

李彦庆 ;

余毅 ;

何锋赟 ;

张海宇 .

中国专利 :CN117711918A ,2024-03-15

[5]

一种低温多晶硅薄膜及其制备方法 [P].

李彦庆 ;

余毅 ;

何锋赟 ;

张海宇 .

中国专利 :CN117711918B ,2024-04-09

[6]

低温多晶硅薄膜制造方法 [P].

颜硕廷 .

中国专利 :CN101168474B ,2008-04-30

[7]

一种多晶硅薄膜的制备方法及多晶硅薄膜 [P].

高超飞 ;

葛晶涛 ;

刘旭亮 ;

沈文涛 ;

张明照 .

中国专利 :CN108878272A ,2018-11-23

[8]

多晶硅薄膜及用非晶硅低温诱导制备多晶硅薄膜的方法 [P].

李媛 ;

吴兴坤 ;

郝芳 ;

周丽萍 ;

杨晗琼 .

中国专利 :CN102201461A ,2011-09-28

[9]

低温多晶硅薄膜及其制备方法、晶体管 [P].

张隆贤 .

中国专利 :CN103700695B ,2014-04-02

[10]

低温多晶硅薄膜的制备方法 [P].

彭思君 ;

吴建宏 ;

刘冲 ;

严晓龙 .

中国专利 :CN104167349A ,2014-11-26

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