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深紫外发光二极管的外延片及其制备方法
被引:0
专利类型
:
发明
申请号
:
CN202110342498.X
申请日
:
2021-03-30
公开(公告)号
:
CN113284995A
公开(公告)日
:
2021-08-20
发明(设计)人
:
丁涛
龚程成
尹涌
梅劲
申请人
:
申请人地址
:
322000 浙江省金华市义乌市苏溪镇苏福路233号
IPC主分类号
:
H01L3312
IPC分类号
:
H01L3300
代理机构
:
北京三高永信知识产权代理有限责任公司 11138
代理人
:
吕耀萍
法律状态
:
公开
国省代码
:
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法律状态
法律状态公告日
法律状态
法律状态信息
2021-08-20
公开
公开
2021-09-07
实质审查的生效
实质审查的生效 IPC(主分类):H01L 33/12 申请日:20210330
共 50 条
[1]
深紫外发光二极管的外延片及其制备方法
[P].
丁涛
论文数:
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丁涛
;
董彬忠
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董彬忠
;
龚程成
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龚程成
;
尹涌
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尹涌
;
梅劲
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梅劲
.
中国专利
:CN113284994A
,2021-08-20
[2]
深紫外发光二极管的外延片及其制备方法
[P].
丁涛
论文数:
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0
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丁涛
;
龚程成
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龚程成
;
尹涌
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尹涌
;
梅劲
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梅劲
.
中国专利
:CN113571617B
,2021-10-29
[3]
深紫外发光二极管外延片及其制备方法、深紫外发光二极管
[P].
程龙
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机构:
江西兆驰半导体有限公司
江西兆驰半导体有限公司
程龙
;
郑文杰
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机构:
江西兆驰半导体有限公司
江西兆驰半导体有限公司
郑文杰
;
高虹
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机构:
江西兆驰半导体有限公司
江西兆驰半导体有限公司
高虹
;
刘春杨
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机构:
江西兆驰半导体有限公司
江西兆驰半导体有限公司
刘春杨
;
胡加辉
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机构:
江西兆驰半导体有限公司
江西兆驰半导体有限公司
胡加辉
;
金从龙
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机构:
江西兆驰半导体有限公司
江西兆驰半导体有限公司
金从龙
.
中国专利
:CN115714155B
,2025-10-31
[4]
深紫外发光二极管外延片及其制备方法、深紫外发光二极管
[P].
程龙
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机构:
江西兆驰半导体有限公司
江西兆驰半导体有限公司
程龙
;
郑文杰
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机构:
江西兆驰半导体有限公司
江西兆驰半导体有限公司
郑文杰
;
高虹
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江西兆驰半导体有限公司
江西兆驰半导体有限公司
高虹
;
刘春杨
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江西兆驰半导体有限公司
江西兆驰半导体有限公司
刘春杨
;
胡加辉
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机构:
江西兆驰半导体有限公司
江西兆驰半导体有限公司
胡加辉
;
金从龙
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机构:
江西兆驰半导体有限公司
江西兆驰半导体有限公司
金从龙
.
中国专利
:CN115832131B
,2025-10-17
[5]
AlGaN基深紫外发光二极管的外延片及其制备方法
[P].
丁涛
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丁涛
;
龚程成
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龚程成
;
尹涌
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尹涌
;
梅劲
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梅劲
.
中国专利
:CN113571616B
,2021-10-29
[6]
深紫外发光二极管外延片及其制备方法、发光二极管
[P].
程龙
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机构:
江西兆驰半导体有限公司
江西兆驰半导体有限公司
程龙
;
郑文杰
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机构:
江西兆驰半导体有限公司
江西兆驰半导体有限公司
郑文杰
;
高虹
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机构:
江西兆驰半导体有限公司
江西兆驰半导体有限公司
高虹
;
刘春杨
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机构:
江西兆驰半导体有限公司
江西兆驰半导体有限公司
刘春杨
;
胡加辉
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机构:
江西兆驰半导体有限公司
江西兆驰半导体有限公司
胡加辉
;
金从龙
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机构:
江西兆驰半导体有限公司
江西兆驰半导体有限公司
金从龙
.
中国专利
:CN115986020B
,2025-08-05
[7]
深紫外发光二极管外延片及其制备方法、发光二极管
[P].
张彩霞
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机构:
江西兆驰半导体有限公司
江西兆驰半导体有限公司
张彩霞
;
印从飞
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机构:
江西兆驰半导体有限公司
江西兆驰半导体有限公司
印从飞
;
程金连
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机构:
江西兆驰半导体有限公司
江西兆驰半导体有限公司
程金连
;
刘春杨
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机构:
江西兆驰半导体有限公司
江西兆驰半导体有限公司
刘春杨
;
胡加辉
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机构:
江西兆驰半导体有限公司
江西兆驰半导体有限公司
胡加辉
;
金从龙
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机构:
江西兆驰半导体有限公司
江西兆驰半导体有限公司
金从龙
.
中国专利
:CN116387420B
,2024-07-16
[8]
深紫外发光二极管的外延片及其制备方法
[P].
丁涛
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丁涛
;
龚程成
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龚程成
;
尹涌
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尹涌
;
梅劲
论文数:
0
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0
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0
梅劲
.
中国专利
:CN113571614B
,2021-10-29
[9]
深紫外发光二极管的外延片及其制备方法
[P].
丁涛
论文数:
0
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丁涛
;
龚程成
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0
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龚程成
;
尹涌
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尹涌
;
梅劲
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0
梅劲
.
中国专利
:CN114023851A
,2022-02-08
[10]
深紫外发光二极管外延片及其制备方法
[P].
程龙
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程龙
;
郑文杰
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郑文杰
;
刘春杨
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刘春杨
;
胡加辉
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胡加辉
.
中国专利
:CN115692553A
,2023-02-03
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