深紫外发光二极管的外延片及其制备方法

被引:0
专利类型
发明
申请号
CN202110342498.X
申请日
2021-03-30
公开(公告)号
CN113284995A
公开(公告)日
2021-08-20
发明(设计)人
丁涛 龚程成 尹涌 梅劲
申请人
申请人地址
322000 浙江省金华市义乌市苏溪镇苏福路233号
IPC主分类号
H01L3312
IPC分类号
H01L3300
代理机构
北京三高永信知识产权代理有限责任公司 11138
代理人
吕耀萍
法律状态
公开
国省代码
引用
下载
收藏
共 50 条
[1]
深紫外发光二极管的外延片及其制备方法 [P]. 
丁涛 ;
董彬忠 ;
龚程成 ;
尹涌 ;
梅劲 .
中国专利 :CN113284994A ,2021-08-20
[2]
深紫外发光二极管的外延片及其制备方法 [P]. 
丁涛 ;
龚程成 ;
尹涌 ;
梅劲 .
中国专利 :CN113571617B ,2021-10-29
[3]
深紫外发光二极管外延片及其制备方法、深紫外发光二极管 [P]. 
程龙 ;
郑文杰 ;
高虹 ;
刘春杨 ;
胡加辉 ;
金从龙 .
中国专利 :CN115714155B ,2025-10-31
[4]
深紫外发光二极管外延片及其制备方法、深紫外发光二极管 [P]. 
程龙 ;
郑文杰 ;
高虹 ;
刘春杨 ;
胡加辉 ;
金从龙 .
中国专利 :CN115832131B ,2025-10-17
[5]
AlGaN基深紫外发光二极管的外延片及其制备方法 [P]. 
丁涛 ;
龚程成 ;
尹涌 ;
梅劲 .
中国专利 :CN113571616B ,2021-10-29
[6]
深紫外发光二极管外延片及其制备方法、发光二极管 [P]. 
程龙 ;
郑文杰 ;
高虹 ;
刘春杨 ;
胡加辉 ;
金从龙 .
中国专利 :CN115986020B ,2025-08-05
[7]
深紫外发光二极管外延片及其制备方法、发光二极管 [P]. 
张彩霞 ;
印从飞 ;
程金连 ;
刘春杨 ;
胡加辉 ;
金从龙 .
中国专利 :CN116387420B ,2024-07-16
[8]
深紫外发光二极管的外延片及其制备方法 [P]. 
丁涛 ;
龚程成 ;
尹涌 ;
梅劲 .
中国专利 :CN113571614B ,2021-10-29
[9]
深紫外发光二极管的外延片及其制备方法 [P]. 
丁涛 ;
龚程成 ;
尹涌 ;
梅劲 .
中国专利 :CN114023851A ,2022-02-08
[10]
深紫外发光二极管外延片及其制备方法 [P]. 
程龙 ;
郑文杰 ;
刘春杨 ;
胡加辉 .
中国专利 :CN115692553A ,2023-02-03