电流尖峰吸收薄膜电容器

被引:0
专利类型
实用新型
申请号
CN201621378040.0
申请日
2016-12-15
公开(公告)号
CN206312761U
公开(公告)日
2017-07-07
发明(设计)人
陶文涛
申请人
申请人地址
523000 广东省东莞市塘厦镇平山松荫路8号
IPC主分类号
H01G433
IPC分类号
H01G438 H01G4012 H01G214
代理机构
广州市越秀区哲力专利商标事务所(普通合伙) 44288
代理人
罗伟添;何新华
法律状态
授权
国省代码
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共 50 条
[1]
高压大电流薄膜电容器 [P]. 
孔星 .
中国专利 :CN206819872U ,2017-12-29
[2]
一种阻燃尖峰吸收薄膜电容器 [P]. 
罗学民 ;
刘宇 ;
金建国 .
中国专利 :CN217881185U ,2022-11-22
[3]
薄膜电容器 [P]. 
周小毛 ;
王天乐 ;
李柯 .
中国专利 :CN213277810U ,2021-05-25
[4]
薄膜电容器 [P]. 
郑建林 ;
赖敏杰 ;
向艳雄 .
中国专利 :CN222762811U ,2025-04-15
[5]
薄膜电容器 [P]. 
小又一義 ;
山口清治 .
中国专利 :CN103339699B ,2013-10-02
[6]
薄膜电容器 [P]. 
罗学民 ;
刘宇 ;
罗浩民 .
中国专利 :CN203397906U ,2014-01-15
[7]
薄膜电容器 [P]. 
小又一义 .
中国专利 :CN104347271A ,2015-02-11
[8]
薄膜电容器 [P]. 
郑建林 ;
赖敏杰 ;
向艳雄 .
中国专利 :CN118486549A ,2024-08-13
[9]
薄膜电容器 [P]. 
真岛亮 ;
菊池公明 ;
市川智道 .
中国专利 :CN216928302U ,2022-07-08
[10]
一种IGBT尖峰缓冲吸收薄膜电容器 [P]. 
罗学明 ;
刘宇 ;
金建国 .
中国专利 :CN217881180U ,2022-11-22