一种IGBT尖峰缓冲吸收薄膜电容器

被引：0

申请号：

CN202221789636.5

申请日：

2022-07-13

公开(公告)号：

CN217881180U

公开(公告)日：

2022-11-22

发明(设计)人：

罗学明刘宇金建国

申请人：

申请人地址：

313000 浙江省湖州市长兴县白岘乡工业集中区(访贤村)

IPC主分类号：

H01G206

IPC分类号：

H01G433

代理机构：

北京方圆嘉禾知识产权代理有限公司 11385

代理人：

陈明辉

法律状态：

授权

国省代码：

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法律状态

法律状态公告日	法律状态	法律状态信息
2022-11-22	授权	授权

共 50 条

[1]

电流尖峰吸收薄膜电容器 [P].

陶文涛 .

中国专利 :CN206312761U ,2017-07-07

[2]

一种阻燃尖峰吸收薄膜电容器 [P].

罗学民 ;

刘宇 ;

金建国 .

中国专利 :CN217881185U ,2022-11-22

[3]

IGBT焊片式吸收塑胶薄膜电容器 [P].

许航 ;

史敦清 ;

刘盼 .

中国专利 :CN216671402U ,2022-06-03

[4]

一种薄膜电容器芯子及高频吸收薄膜电容器 [P].

陶文涛 .

中国专利 :CN207282322U ,2018-04-27

[5]

一种用于防震的IGBT尖峰吸收电容器 [P].

李明涛 .

中国专利 :CN208722748U ,2019-04-09

[6]

一种薄膜电容器盖子、薄膜电容器 [P].

陈建强 .

中国专利 :CN210403520U ,2020-04-24

[7]

一种模块片式IGBT尖峰吸收电容器 [P].

杨瑞锋 ;

毛群辉 ;

邓钊 .

中国专利 :CN215265947U ,2021-12-21

[8]

电容器薄膜、薄膜电容器芯子以及薄膜电容器 [P].

杨玮 ;

项华炜 ;

林良彬 ;

刘斯源 .

中国专利 :CN209388887U ,2019-09-13

[9]

薄膜电容器芯子及薄膜电容器 [P].

谢志懋 ;

王占东 .

中国专利 :CN204204640U ,2015-03-11

[10]

一种薄膜电容器 [P].

尹志华 ;

李良 ;

尹超 .

中国专利 :CN216624003U ,2022-05-27

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