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一种模块片式IGBT尖峰吸收电容器
被引:0
专利类型
:
实用新型
申请号
:
CN202121509505.2
申请日
:
2021-07-05
公开(公告)号
:
CN215265947U
公开(公告)日
:
2021-12-21
发明(设计)人
:
杨瑞锋
毛群辉
邓钊
申请人
:
申请人地址
:
518109 广东省深圳市龙华区龙华街道富康社区天汇大厦D栋4层D417室
IPC主分类号
:
H01G433
IPC分类号
:
H01G206
H01G4002
H01G4228
H01G4224
H01G208
F16F1508
代理机构
:
深圳华企汇专利代理有限公司 44735
代理人
:
崔亚军
法律状态
:
授权
国省代码
:
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法律状态
法律状态公告日
法律状态
法律状态信息
2021-12-21
授权
授权
共 50 条
[1]
插片式IGBT吸收电容器
[P].
石宝宏
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石宝宏
;
朱承彪
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朱承彪
;
王超
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王超
.
中国专利
:CN204189615U
,2015-03-04
[2]
一种用于防震的IGBT尖峰吸收电容器
[P].
李明涛
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李明涛
.
中国专利
:CN208722748U
,2019-04-09
[3]
一种IGBT尖峰缓冲吸收薄膜电容器
[P].
罗学明
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罗学明
;
刘宇
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刘宇
;
金建国
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金建国
.
中国专利
:CN217881180U
,2022-11-22
[4]
IGBT吸收电容器
[P].
刘竞泽
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刘竞泽
;
刘海平
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刘海平
.
中国专利
:CN206742081U
,2017-12-12
[5]
一种接线片式IGBT吸收电容器
[P].
刘兆勇
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刘兆勇
.
中国专利
:CN215680418U
,2022-01-28
[6]
一种IGBT吸收电容器的外壳及IGBT吸收电容器
[P].
朱未
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朱未
;
陈建立
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陈建立
;
蔡玲儿
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蔡玲儿
;
薛吉
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薛吉
;
汪新建
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汪新建
.
中国专利
:CN211788644U
,2020-10-27
[7]
一种IGBT吸收电容器
[P].
朱未
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朱未
;
陈建立
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陈建立
;
蔡玲儿
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蔡玲儿
;
薛吉
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薛吉
;
汪新建
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汪新建
.
中国专利
:CN212010738U
,2020-11-24
[8]
IGBT焊片式吸收塑胶薄膜电容器
[P].
许航
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许航
;
史敦清
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史敦清
;
刘盼
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刘盼
.
中国专利
:CN216671402U
,2022-06-03
[9]
IGBT模块用三端吸收电容器
[P].
蒋建忠
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蒋建忠
;
周玲
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周玲
;
陈韶波
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陈韶波
.
中国专利
:CN205609357U
,2016-09-28
[10]
IGBT吸收电容器及其电容芯子
[P].
刘竞泽
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刘竞泽
;
刘海平
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刘海平
.
中国专利
:CN207038350U
,2018-02-23
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