IGBT吸收电容器

被引：0

专利类型：

实用新型

申请号：

CN201720280993.1

申请日：

2017-03-21

公开(公告)号：

CN206742081U

公开(公告)日：

2017-12-12

发明(设计)人：

刘竞泽刘海平

申请人：

申请人地址：

523000 广东省东莞市寮步镇石龙坑黄坑工业区

IPC主分类号：

H01G4236

IPC分类号：

H01G4224

代理机构：

广州三环专利商标代理有限公司 44202

代理人：

张艳美;郝传鑫

法律状态：

授权

国省代码：

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法律状态

法律状态公告日	法律状态	法律状态信息
2017-12-12	授权	授权
2021-08-10	专利申请权、专利权的转移	专利权的转移 IPC(主分类):H01G 4/236 登记生效日:20210729 变更事项:专利权人变更前权利人:东莞市国灿电子科技有限公司变更后权利人:广东国灿电子科技有限公司变更事项:地址变更前权利人:523000 广东省东莞市寮步镇石龙坑黄坑工业区变更后权利人:529100 广东省江门市新会区司前镇业广路44号中南高科·新会融智创美产业谷3座(信息申报制)

共 50 条

[1]

IGBT吸收电容器及其电容芯子 [P].

刘竞泽 ;

刘海平 .

中国专利 :CN207038350U ,2018-02-23

[2]

一种IGBT吸收电容器 [P].

朱未 ;

陈建立 ;

蔡玲儿 ;

薛吉 ;

汪新建 .

中国专利 :CN212010738U ,2020-11-24

[3]

一种IGBT吸收电容器的外壳及IGBT吸收电容器 [P].

朱未 ;

陈建立 ;

蔡玲儿 ;

薛吉 ;

汪新建 .

中国专利 :CN211788644U ,2020-10-27

[4]

插片式IGBT吸收电容器 [P].

石宝宏 ;

朱承彪 ;

王超 .

中国专利 :CN204189615U ,2015-03-04

[5]

新型IGBT吸收保护电容器 [P].

周文 ;

朱利平 ;

汤小五 ;

叶名芳 ;

李文祥 .

中国专利 :CN202025651U ,2011-11-02

[6]

IGBT模块用三端吸收电容器 [P].

蒋建忠 ;

周玲 ;

陈韶波 .

中国专利 :CN205609357U ,2016-09-28

[7]

IGBT焊片式吸收塑胶薄膜电容器 [P].

许航 ;

史敦清 ;

刘盼 .

中国专利 :CN216671402U ,2022-06-03

[8]

一种多芯结构的IGBT吸收电容器 [P].

黄灵春 ;

伍骞 .

中国专利 :CN216562783U ,2022-05-17

[9]

一种用于防震的IGBT尖峰吸收电容器 [P].

李明涛 .

中国专利 :CN208722748U ,2019-04-09

[10]

一种IGBT吸收电容器的引出电极片 [P].

陈伟伟 ;

丁继华 ;

陈益珊 .

中国专利 :CN218414273U ,2023-01-31

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