一种多芯结构的IGBT吸收电容器

被引：0

申请号：

CN202122793708.5

申请日：

2021-11-15

公开(公告)号：

CN216562783U

公开(公告)日：

2022-05-17

发明(设计)人：

黄灵春伍骞

申请人：

申请人地址：

611130 四川省成都市温江区成都海峡两岸科技产业开发园科兴路西段606号

IPC主分类号：

H01G4224

IPC分类号：

H01G4228

代理机构：

成都睿道专利代理事务所(普通合伙) 51217

代理人：

周自维

法律状态：

授权

国省代码：

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法律状态

法律状态公告日	法律状态	法律状态信息
2022-05-17	授权	授权

共 50 条

[1]

IGBT吸收电容器 [P].

刘竞泽 ;

刘海平 .

中国专利 :CN206742081U ,2017-12-12

[2]

一种IGBT吸收电容器的外壳及IGBT吸收电容器 [P].

朱未 ;

陈建立 ;

蔡玲儿 ;

薛吉 ;

汪新建 .

中国专利 :CN211788644U ,2020-10-27

[3]

一种多芯吸收电容器 [P].

朱旭敏 ;

李泰甫 ;

朱永光 .

中国专利 :CN220400415U ,2024-01-26

[4]

一种IGBT吸收电容器 [P].

朱未 ;

陈建立 ;

蔡玲儿 ;

薛吉 ;

汪新建 .

中国专利 :CN212010738U ,2020-11-24

[5]

新型IGBT吸收保护电容器 [P].

周文 ;

朱利平 ;

汤小五 ;

叶名芳 ;

李文祥 .

中国专利 :CN202025651U ,2011-11-02

[6]

IGBT吸收电容器及其电容芯子 [P].

刘竞泽 ;

刘海平 .

中国专利 :CN207038350U ,2018-02-23

[7]

一种用于防震的IGBT尖峰吸收电容器 [P].

李明涛 .

中国专利 :CN208722748U ,2019-04-09

[8]

一种模块片式IGBT尖峰吸收电容器 [P].

杨瑞锋 ;

毛群辉 ;

邓钊 .

中国专利 :CN215265947U ,2021-12-21

[9]

插片式IGBT吸收电容器 [P].

石宝宏 ;

朱承彪 ;

王超 .

中国专利 :CN204189615U ,2015-03-04

[10]

一种垂直布置的多芯组电容器 [P].

朱江滨 ;

吴育东 ;

饶威 ;

黄新宽 ;

黄晓云 .

中国专利 :CN218471770U ,2023-02-10

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