IGBT吸收电容器及其电容芯子

被引：0

专利类型：

实用新型

申请号：

CN201720288826.1

申请日：

2017-03-21

公开(公告)号：

CN207038350U

公开(公告)日：

2018-02-23

发明(设计)人：

刘竞泽刘海平

申请人：

申请人地址：

523000 广东省东莞市寮步镇石龙坑黄坑工业区

IPC主分类号：

H01G4005

IPC分类号：

H01G4008 H01G414 H01G432

代理机构：

广州三环专利商标代理有限公司 44202

代理人：

张艳美;郝传鑫

法律状态：

授权

国省代码：

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法律状态

法律状态公告日	法律状态	法律状态信息
2018-02-23	授权	授权
2021-08-17	专利申请权、专利权的转移	专利权的转移 IPC(主分类):H01G 4/005 登记生效日:20210804 变更事项:专利权人变更前权利人:东莞市国灿电子科技有限公司变更后权利人:广东国灿电子科技有限公司变更事项:地址变更前权利人:523000 广东省东莞市寮步镇石龙坑黄坑工业区变更后权利人:529100 广东省江门市新会区司前镇业广路44号中南高科·新会融智创美产业谷3座(信息申报制)

共 50 条

[1]

IGBT吸收电容器 [P].

刘竞泽 ;

刘海平 .

中国专利 :CN206742081U ,2017-12-12

[2]

薄膜电容器及其电容芯子 [P].

刘竞泽 ;

徐滢涛 .

中国专利 :CN206558379U ,2017-10-13

[3]

薄膜电容器及其电容芯子 [P].

刘竞泽 ;

徐滢涛 .

中国专利 :CN206726958U ,2017-12-08

[4]

电容器芯子及其电容器 [P].

尤枝辉 .

中国专利 :CN212161591U ,2020-12-15

[5]

新型IGBT吸收保护电容器 [P].

周文 ;

朱利平 ;

汤小五 ;

叶名芳 ;

李文祥 .

中国专利 :CN202025651U ,2011-11-02

[6]

双芯子电容器 [P].

孟建平 ;

李毅平 .

中国专利 :CN203871182U ,2014-10-08

[7]

电解电容器及其电容芯子 [P].

陈艺城 ;

梁秋妮 ;

张业华 ;

赵勇刚 ;

匡小军 ;

刘丽霞 ;

冯守桂 ;

夏晓波 ;

赵嵘峥 .

中国专利 :CN206574605U ,2017-10-20

[8]

一种IGBT吸收电容器的外壳及IGBT吸收电容器 [P].

朱未 ;

陈建立 ;

蔡玲儿 ;

薛吉 ;

汪新建 .

中国专利 :CN211788644U ,2020-10-27

[9]

一种IGBT吸收电容器 [P].

朱未 ;

陈建立 ;

蔡玲儿 ;

薛吉 ;

汪新建 .

中国专利 :CN212010738U ,2020-11-24

[10]

插片式IGBT吸收电容器 [P].

石宝宏 ;

朱承彪 ;

王超 .

中国专利 :CN204189615U ,2015-03-04

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