学术探索
学术期刊
学术作者
新闻热点
数据分析
智能评审
半导体元件的过电流保护装置
被引:0
专利类型
:
发明
申请号
:
CN201680045425.1
申请日
:
2016-12-22
公开(公告)号
:
CN107852155A
公开(公告)日
:
2018-03-27
发明(设计)人
:
皆川启
申请人
:
申请人地址
:
日本神奈川县
IPC主分类号
:
H03K1708
IPC分类号
:
H02M100
H03K17567
代理机构
:
北京林达刘知识产权代理事务所(普通合伙) 11277
代理人
:
刘新宇
法律状态
:
公开
国省代码
:
引用
下载
收藏
法律状态
法律状态公告日
法律状态
法律状态信息
2018-03-27
公开
公开
2018-04-20
实质审查的生效
实质审查的生效 IPC(主分类):H03K 17/08 申请日:20161222
2021-04-20
授权
授权
共 50 条
[1]
半导体装置和过电流保护装置
[P].
佐藤茂树
论文数:
0
引用数:
0
h-index:
0
机构:
富士电机株式会社
富士电机株式会社
佐藤茂树
.
日本专利
:CN117957774A
,2024-04-30
[2]
半导体装置及过电流保护装置
[P].
佐藤茂树
论文数:
0
引用数:
0
h-index:
0
机构:
富士电机株式会社
富士电机株式会社
佐藤茂树
.
日本专利
:CN117981224A
,2024-05-03
[3]
半导体装置及过电流保护装置
[P].
佐藤茂树
论文数:
0
引用数:
0
h-index:
0
机构:
富士电机株式会社
富士电机株式会社
佐藤茂树
.
日本专利
:CN117918050A
,2024-04-23
[4]
半导体装置和过电流保护装置
[P].
中岛幸治
论文数:
0
引用数:
0
h-index:
0
机构:
瑞萨电子株式会社
瑞萨电子株式会社
中岛幸治
;
田中佳明
论文数:
0
引用数:
0
h-index:
0
机构:
瑞萨电子株式会社
瑞萨电子株式会社
田中佳明
.
日本专利
:CN108346655B
,2024-04-23
[5]
半导体装置和过电流保护装置
[P].
中岛幸治
论文数:
0
引用数:
0
h-index:
0
中岛幸治
;
田中佳明
论文数:
0
引用数:
0
h-index:
0
田中佳明
.
中国专利
:CN108346655A
,2018-07-31
[6]
过电流保护装置
[P].
大岛俊藏
论文数:
0
引用数:
0
h-index:
0
大岛俊藏
.
中国专利
:CN101682319B
,2010-03-24
[7]
具有过电流保护装置的功率半导体模块
[P].
克里斯蒂安·克罗内德尔
论文数:
0
引用数:
0
h-index:
0
克里斯蒂安·克罗内德尔
;
乌维·肖依尔曼
论文数:
0
引用数:
0
h-index:
0
乌维·肖依尔曼
;
德杨·施伦尔博
论文数:
0
引用数:
0
h-index:
0
德杨·施伦尔博
.
中国专利
:CN1941362A
,2007-04-04
[8]
DC过电流保护装置
[P].
W·瓦格
论文数:
0
引用数:
0
h-index:
0
W·瓦格
.
中国专利
:CN108473060A
,2018-08-31
[9]
过电流保护装置
[P].
虞梅
论文数:
0
引用数:
0
h-index:
0
虞梅
;
江文
论文数:
0
引用数:
0
h-index:
0
江文
;
李娟
论文数:
0
引用数:
0
h-index:
0
李娟
;
汤发俊
论文数:
0
引用数:
0
h-index:
0
汤发俊
.
中国专利
:CN203326550U
,2013-12-04
[10]
过电流保护装置
[P].
黄金灿
论文数:
0
引用数:
0
h-index:
0
黄金灿
.
中国专利
:CN101820162B
,2010-09-01
←
1
2
3
4
5
→