半导体元件的过电流保护装置

被引:0
专利类型
发明
申请号
CN201680045425.1
申请日
2016-12-22
公开(公告)号
CN107852155A
公开(公告)日
2018-03-27
发明(设计)人
皆川启
申请人
申请人地址
日本神奈川县
IPC主分类号
H03K1708
IPC分类号
H02M100 H03K17567
代理机构
北京林达刘知识产权代理事务所(普通合伙) 11277
代理人
刘新宇
法律状态
公开
国省代码
引用
下载
收藏
共 50 条
[1]
半导体装置和过电流保护装置 [P]. 
佐藤茂树 .
日本专利 :CN117957774A ,2024-04-30
[2]
半导体装置及过电流保护装置 [P]. 
佐藤茂树 .
日本专利 :CN117981224A ,2024-05-03
[3]
半导体装置及过电流保护装置 [P]. 
佐藤茂树 .
日本专利 :CN117918050A ,2024-04-23
[4]
半导体装置和过电流保护装置 [P]. 
中岛幸治 ;
田中佳明 .
日本专利 :CN108346655B ,2024-04-23
[5]
半导体装置和过电流保护装置 [P]. 
中岛幸治 ;
田中佳明 .
中国专利 :CN108346655A ,2018-07-31
[6]
过电流保护装置 [P]. 
大岛俊藏 .
中国专利 :CN101682319B ,2010-03-24
[7]
具有过电流保护装置的功率半导体模块 [P]. 
克里斯蒂安·克罗内德尔 ;
乌维·肖依尔曼 ;
德杨·施伦尔博 .
中国专利 :CN1941362A ,2007-04-04
[8]
DC过电流保护装置 [P]. 
W·瓦格 .
中国专利 :CN108473060A ,2018-08-31
[9]
过电流保护装置 [P]. 
虞梅 ;
江文 ;
李娟 ;
汤发俊 .
中国专利 :CN203326550U ,2013-12-04
[10]
过电流保护装置 [P]. 
黄金灿 .
中国专利 :CN101820162B ,2010-09-01