半导体装置和过电流保护装置

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专利类型
发明
申请号
CN201711432957.3
申请日
2017-12-26
公开(公告)号
CN108346655A
公开(公告)日
2018-07-31
发明(设计)人
中岛幸治 田中佳明
申请人
申请人地址
日本东京
IPC主分类号
H01L2702
IPC分类号
代理机构
中原信达知识产权代理有限责任公司 11219
代理人
李兰;孙志湧
法律状态
公开
国省代码
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共 50 条
[1]
半导体装置和过电流保护装置 [P]. 
中岛幸治 ;
田中佳明 .
日本专利 :CN108346655B ,2024-04-23
[2]
半导体装置和过电流保护装置 [P]. 
佐藤茂树 .
日本专利 :CN117957774A ,2024-04-30
[3]
半导体装置及过电流保护装置 [P]. 
佐藤茂树 .
日本专利 :CN117981224A ,2024-05-03
[4]
半导体装置及过电流保护装置 [P]. 
佐藤茂树 .
日本专利 :CN117918050A ,2024-04-23
[5]
半导体元件的过电流保护装置 [P]. 
皆川启 .
中国专利 :CN107852155A ,2018-03-27
[6]
过电流保护装置 [P]. 
黄金灿 .
中国专利 :CN101820162B ,2010-09-01
[7]
过电流保护电路和半导体装置 [P]. 
安坂信 ;
永田健 .
日本专利 :CN117561486A ,2024-02-13
[8]
过电流保护装置 [P]. 
刘文士 ;
王晓萍 .
中国专利 :CN202488110U ,2012-10-10
[9]
过电流保护装置和过电流保护系统 [P]. 
长沢一美 ;
栗田薰 ;
中山雅之 ;
远山一郎 ;
前田光章 ;
石间茂巳 .
中国专利 :CN102576998A ,2012-07-11
[10]
具有过电流保护装置的功率半导体模块 [P]. 
克里斯蒂安·克罗内德尔 ;
乌维·肖依尔曼 ;
德杨·施伦尔博 .
中国专利 :CN1941362A ,2007-04-04