一种半导体器件及其制作方法、电子装置

被引：0

专利类型：

发明

申请号：

CN201810229805.1

申请日：

2018-03-20

公开(公告)号：

CN110310892A

公开(公告)日：

2019-10-08

发明(设计)人：

王孝远赵晓燕郭兵辜良智季明华

申请人：

申请人地址：

201203 上海市浦东新区张江路18号

IPC主分类号：

H01L21336

IPC分类号：

H01L2128 H01L2978 H01L2940

代理机构：

北京市磐华律师事务所 11336

代理人：

董巍;高伟

法律状态：

实质审查的生效

国省代码：

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法律状态

法律状态公告日	法律状态	法律状态信息
2019-11-01	实质审查的生效	实质审查的生效 IPC(主分类):H01L 21/336 申请日:20180320
2019-10-08	公开	公开

共 50 条

[1]

半导体器件及其制作方法、电子装置 [P].

王胜名 ;

邹陆军 ;

李绍彬 .

中国专利 :CN108649030A ,2018-10-12

[2]

半导体器件及其制作方法、电子装置 [P].

王胜名 ;

陈超 ;

李绍彬 ;

仇圣棻 .

中国专利 :CN109273445B ,2019-01-25

[3]

一种半导体器件及其制作方法 [P].

金华俊 ;

孙贵鹏 ;

罗泽煌 ;

史霄 ;

高桦 .

中国专利 :CN109979821A ,2019-07-05

[4]

半导体器件制作方法、半导体器件及电子装置 [P].

邓浩 .

中国专利 :CN107437544A ,2017-12-05

[5]

一种半导体器件及其制作方法、电子装置 [P].

叶晓 ;

金凤吉 ;

周川淼 .

中国专利 :CN107482009B ,2017-12-15

[6]

一种半导体器件及其制作方法、电子装置 [P].

邓浩 .

中国专利 :CN105206562B ,2015-12-30

[7]

一种半导体器件及其制作方法、电子装置 [P].

张翼英 ;

常荣耀 ;

洪中山 .

中国专利 :CN107482010B ,2017-12-15

[8]

一种半导体器件及其制作方法、电子装置 [P].

刘震宇 .

中国专利 :CN109962108B ,2019-07-02

[9]

半导体器件及其制作方法、电子装置 [P].

郑二虎 .

中国专利 :CN107978517B ,2018-05-01

[10]

半导体器件及其制作方法、电子装置 [P].

陈卓凡 .

中国专利 :CN107634060A ,2018-01-26

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