半导体器件及其制作方法、电子装置

被引：0

专利类型：

发明

申请号：

CN201710160746.2

申请日：

2017-03-17

公开(公告)号：

CN108649030A

公开(公告)日：

2018-10-12

发明(设计)人：

王胜名邹陆军李绍彬

申请人：

申请人地址：

201203 上海市浦东新区张江路18号

IPC主分类号：

H01L27115

IPC分类号：

H01L21768

代理机构：

北京市磐华律师事务所 11336

代理人：

高伟;张建

法律状态：

公开

国省代码：

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法律状态

法律状态公告日	法律状态	法律状态信息
2018-10-12	公开	公开
2021-02-26	授权	授权
2018-11-06	实质审查的生效	实质审查的生效 IPC(主分类):H01L 27/115 申请日:20170317

共 50 条

[1]

半导体器件及其制作方法、电子装置 [P].

王胜名 ;

陈超 ;

李绍彬 ;

仇圣棻 .

中国专利 :CN109273445B ,2019-01-25

[2]

半导体器件及其制作方法、电子装置 [P].

郑二虎 .

中国专利 :CN107978517B ,2018-05-01

[3]

半导体器件及其制作方法、电子装置 [P].

陈卓凡 .

中国专利 :CN107634060A ,2018-01-26

[4]

半导体器件及其制作方法、电子装置 [P].

曹恒 ;

周乾 ;

杨海玩 ;

仇圣棻 .

中国专利 :CN107785372A ,2018-03-09

[5]

半导体器件及其制作方法、电子装置 [P].

郑二虎 ;

肖芳元 ;

梁疏穷 .

中国专利 :CN107978604B ,2018-05-01

[6]

半导体器件及其制作方法、电子装置 [P].

黄晨 ;

王剑屏 .

中国专利 :CN108321120B ,2018-07-24

[7]

半导体器件及其制作方法、电子装置 [P].

常荣耀 ;

宋洋 .

中国专利 :CN107785373A ,2018-03-09

[8]

半导体器件及其制作方法、电子装置 [P].

殷原梓 ;

李日鑫 .

中国专利 :CN108346618A ,2018-07-31

[9]

半导体器件及其制作方法、电子装置 [P].

常荣耀 ;

王彦 ;

张翼英 ;

宋洋 .

中国专利 :CN107895723A ,2018-04-10

[10]

半导体器件及其制作方法、电子装置 [P].

周飞 .

中国专利 :CN107689372A ,2018-02-13

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