半导体器件及其制作方法、电子装置

被引：0

专利类型：

发明

申请号：

CN201610938708.0

申请日：

2016-10-24

公开(公告)号：

CN107978604B

公开(公告)日：

2018-05-01

发明(设计)人：

郑二虎肖芳元梁疏穷

申请人：

申请人地址：

201203 上海市浦东新区张江路18号

IPC主分类号：

H01L2711524

IPC分类号：

代理机构：

北京市磐华律师事务所 11336

代理人：

高伟;张建

法律状态：

公开

国省代码：

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法律状态

法律状态公告日	法律状态	法律状态信息
2018-05-01	公开	公开
2018-05-25	实质审查的生效	实质审查的生效 IPC(主分类):H01L 27/11524 申请日:20161024
2020-04-10	授权	授权

共 50 条

[1]

半导体器件制作方法、半导体器件及电子装置 [P].

李敏 ;

吴永玉 .

中国专利 :CN106158826A ,2016-11-23

[2]

半导体器件及其制作方法、电子装置 [P].

陈卓凡 .

中国专利 :CN107634060A ,2018-01-26

[3]

半导体器件制作方法、半导体器件及电子装置 [P].

李敏 .

中国专利 :CN106158621B ,2016-11-23

[4]

一种半导体器件及其制作方法、电子装置 [P].

包小燕 ;

董天化 ;

吴亮 .

中国专利 :CN107403754A ,2017-11-28

[5]

一种半导体器件及其制作方法、电子装置 [P].

郑二虎 ;

张翼英 .

中国专利 :CN108022932A ,2018-05-11

[6]

半导体器件及其制作方法、电子装置 [P].

郑二虎 .

中国专利 :CN107978517B ,2018-05-01

[7]

半导体器件及其制作方法、电子装置 [P].

王胜名 ;

邹陆军 ;

李绍彬 .

中国专利 :CN108649030A ,2018-10-12

[8]

半导体器件及其制作方法、电子装置 [P].

曹恒 ;

周乾 ;

杨海玩 ;

仇圣棻 .

中国专利 :CN107785372A ,2018-03-09

[9]

半导体器件及其制作方法、电子装置 [P].

王胜名 ;

陈超 ;

李绍彬 ;

仇圣棻 .

中国专利 :CN109273445B ,2019-01-25

[10]

半导体器件及其制作方法、电子装置 [P].

黄晨 ;

王剑屏 .

中国专利 :CN108321120B ,2018-07-24

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