蚀刻方法和等离子体处理系统

被引：0

专利类型：

发明

申请号：

CN202110887494.X

申请日：

2021-08-03

公开(公告)号：

CN114078697A

公开(公告)日：

2022-02-22

发明(设计)人：

郭世荣佐佐木彦一郎昆泰光

申请人：

申请人地址：

日本东京都

IPC主分类号：

H01L213065

IPC分类号：

H01L21308 H01J3732

代理机构：

北京林达刘知识产权代理事务所(普通合伙) 11277

代理人：

刘新宇;李茂家

法律状态：

公开

国省代码：

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法律状态

法律状态公告日	法律状态	法律状态信息
2022-02-22	公开	公开

共 50 条

[1]

蚀刻方法和等离子体处理系统 [P].

泽野拓哉 ;

山口雅仁 ;

户村幕树 ;

木原嘉英 .

日本专利 :CN119698688A ,2025-03-25

[2]

等离子体处理系统、等离子体处理装置以及蚀刻方法 [P].

齐藤昴 ;

中根由太 ;

高桥笃史 ;

石川慎也 ;

大内田聪 ;

户村幕树 .

日本专利 :CN117855088A ,2024-04-09

[3]

蚀刻方法、等离子体处理装置和处理系统 [P].

西出大亮 ;

久松亨 ;

石川慎也 .

中国专利 :CN111508831A ,2020-08-07

[4]

蚀刻方法、等离子体处理装置和处理系统 [P].

西出大亮 ;

久松亨 ;

石川慎也 .

日本专利 :CN111508831B ,2024-03-26

[5]

蚀刻方法以及等离子体处理系统 [P].

松原稜 ;

高桥笃史 ;

中根由太 ;

齐藤昴 .

日本专利 :CN117832077A ,2024-04-05

[6]

基片支承器、等离子体处理系统和等离子体蚀刻方法 [P].

早坂直人 ;

高桥智之 ;

河田祐纪 .

中国专利 :CN114914144A ,2022-08-16

[7]

等离子体处理方法和等离子体处理系统 [P].

向山广记 ;

户村幕树 ;

木原嘉英 ;

高桥笃史 ;

大类贵俊 .

日本专利 :CN116805579B ,2025-03-14

[8]

等离子体处理系统和等离子体处理方法 [P].

茂山和基 ;

永关一也 .

中国专利 :CN114050100A ,2022-02-15

[9]

等离子体处理系统和等离子体处理方法 [P].

茂山和基 ;

永关一也 .

中国专利 :CN110137068B ,2019-08-16

[10]

等离子体处理系统和等离子体处理方法 [P].

弗兰克·梅 ;

伯恩哈德·科德 ;

西蒙·赫布纳 ;

彼得·沃尔法特 .

中国专利 :CN114503239A ,2022-05-13

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